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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

UMW

2,500 -
IPD050N03LGATMA1

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFR1205TR

IRFR1205TR

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

UMW

2,500 -
IRFR1205TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLR8726TR

IRLR8726TR

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

UMW

2,490 -
IRLR8726TR

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 86A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.35V @ 50µA - 30 V ±20V - - - TO-252 (DPAK) - 75W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
FDD5680

FDD5680

MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK

UMW

2,490 -
FDD5680

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N60L

2N60L

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

UMW

2,455 -
2N60L

数据表

* TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA - 600 V ±30V - - - TO-252 (DPAK) - 44W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
NTMS4816NR2G

NTMS4816NR2G

MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC

UMW

2,335 -
NTMS4816NR2G

数据表

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
30N03A

30N03A

TO-252 MOSFETS ROHS

UMW

1,628 -
30N03A

数据表

UMW TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V 30 V ±20V 1963 pF @ 15 V - - TO-252 (DPAK) - 105W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
1N60G

1N60G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

UMW

2,399 -
1N60G

数据表

UMW TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Tj) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4.8 nC @ 10 V 600 V ±30V 150 pF @ 25 V - - SOT-223 - - 150°C (TJ)
AO4405

AO4405

SOP-8 MOSFETS ROHS

UMW

2,758 -
AO4405

数据表

UMW 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) 4.5V, 10V 45mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V 30 V ±20V 520 pF @ 15 V - - 8-SOP - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTD4858NT4G

NTD4858NT4G

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK

UMW

2,500 -
NTD4858NT4G

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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