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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STU13NM60N

STU13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

STMicroelectronics

7,210 -
STU13NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V 600 V ±25V 790 pF @ 50 V - - TO-251 (IPAK) - 90W (Tc) 150°C (TJ)
SCT060HU75G3AG

SCT060HU75G3AG

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

STMicroelectronics

582 -
SCT060HU75G3AG

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 30A (Tc) 15V, 18V 78mOhm @ 15A, 18V Surface Mount 4.2V @ 1mA 29 nC @ 18 V 750 V 4.2V @ 1mA 680 pF @ 400 V - - HU3PAK - 185W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SCTH35N65G2V-7AG

SCTH35N65G2V-7AG

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

STMicroelectronics

1,000 -
SCTH35N65G2V-7AG

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V Surface Mount 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V 650 V +22V, -10V 1370 pF @ 400 V AEC-Q101 - H2PAK-7 Automotive 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STL8N65M5

STL8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

STMicroelectronics

5,459 -
STL8N65M5

数据表

MDmesh™ V 14-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Ta), 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V 650 V ±25V 690 pF @ 100 V - - PowerFLAT™ (5x5) - 2.5W (Ta), 70W (Tc) 150°C (TJ)
STP24N65M2

STP24N65M2

MOSFET N-CH 650V 16A TO220

STMicroelectronics

2,417 -
STP24N65M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 230mOhm @ 8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 650 V ±25V 1060 pF @ 100 V - - TO-220 - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCTW60N120G2

SCTW60N120G2

DISCRETE

STMicroelectronics

600 -
SCTW60N120G2

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 18V 52mOhm @ 30A, 18V Through Hole 5V @ 1mA 94 nC @ 8 V 1200 V +18V, -5V 1969 pF @ 800 V - - HiP247™ - 389W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ)
STD7N95K5AG

STD7N95K5AG

DISCRETE

STMicroelectronics

3,583 -
STD7N95K5AG

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V Surface Mount 5V @ 100µA 9.6 nC @ 10 V 950 V ±30V 430 pF @ 100 V AEC-Q101 - TO-252 (DPAK) Automotive 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB15NK50ZT4

STB15NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK

STMicroelectronics

9,454 -
STB15NK50ZT4

数据表

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 4.5V @ 100µA 106 nC @ 10 V 500 V ±30V 2260 pF @ 25 V - - D2PAK - 160W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
STB22NS25ZT4

STB22NS25ZT4

MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK

STMicroelectronics

2,522 -
STB22NS25ZT4

数据表

MESH OVERLAY™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 151 nC @ 10 V 250 V ±20V 2400 pF @ 25 V - - D2PAK - 135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STP60N55F3

STP60N55F3

MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB

STMicroelectronics

6,246 -
STP60N55F3

数据表

STripFET™ III TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V 55 V ±20V 2200 pF @ 25 V - - TO-220 - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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