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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STW38N65M5-4

STW38N65M5-4

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

STMicroelectronics

48 -
STW38N65M5-4

数据表

MDmesh™ M5 TO-247-4 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 95mOhm @ 15A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 71 nC @ 10 V 650 V ±25V 3000 pF @ 100 V - - TO-247-4 - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STP32NM50N

STP32NM50N

MOSFET N CH 500V 22A TO-220

STMicroelectronics

97 -
STP32NM50N

数据表

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 130mOhm @ 11A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 62.5 nC @ 10 V 500 V ±25V 1973 pF @ 50 V - - TO-220 - 190W (Tc) 150°C (TJ)
STWA57N65M5

STWA57N65M5

MOSFET N-CH 650V 42A TO247

STMicroelectronics

90 -
STWA57N65M5

数据表

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 63mOhm @ 21A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V 650 V ±25V 4200 pF @ 100 V - - TO-247 - 250W (Tc) 150°C (TJ)
STW62NM60N

STW62NM60N

MOSFET N-CH 600V 65A TO247

STMicroelectronics

10 -
STW62NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A (Tc) 10V 49mOhm @ 32.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 174 nC @ 10 V 600 V ±25V 5800 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 450W (Tc) 150°C (TJ)
STW57N65M5-4

STW57N65M5-4

MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L

STMicroelectronics

33 -
STW57N65M5-4

数据表

MDmesh™ V TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 63mOhm @ 21A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V 650 V ±25V 4200 pF @ 100 V - - TO-247-4L - 250W (Tc) 150°C (TJ)
STWA63N65DM2

STWA63N65DM2

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

STMicroelectronics

37 -
STWA63N65DM2

数据表

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 50mOhm @ 30A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 650 V ±25V 5500 pF @ 100 V - - TO-247 Long Leads - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT20N120AG

SCT20N120AG

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

STMicroelectronics

43 -
SCT20N120AG

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 20A (Tc) 20V 239mOhm @ 10A, 20V Through Hole 3.5V @ 1mA 45 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 650 pF @ 400 V AEC-Q101 - HiP247™ Automotive 153W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ)
STDLED656

STDLED656

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

STMicroelectronics

969 -
STDLED656

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.7A, 10V Surface Mount 4.5V @ 50µA 34 nC @ 10 V 650 V ±30V 895 pF @ 100 V - - DPAK - 70W (Tc) 150°C (TJ)
STN1NK80Z

STN1NK80Z

MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223

STMicroelectronics

4,675 -
STN1NK80Z

数据表

SuperMESH™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250mA (Tc) 10V 16Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4.5V @ 50µA 7.7 nC @ 10 V 800 V ±30V 160 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STD5N95K5

STD5N95K5

MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK

STMicroelectronics

6,362 -
STD5N95K5

数据表

SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 5V @ 100µA 12.5 nC @ 10 V 950 V ±30V 220 pF @ 100 V - - DPAK - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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