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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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NP28N10SDE-E1-AY

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TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

8,456 -
NP28N10SDE-E1-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 28A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP32N055SDE-E1-AZ

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TRANSISTOR

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7,391 -
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数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 32A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP32N055SLE-E1-AZ

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TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

9,588 -
NP32N055SLE-E1-AZ

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 32A (Ta) - - - - - - - - - - - - - -
NP40N055KHE-E1-AY

NP40N055KHE-E1-AY

TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

7,766 -
NP40N055KHE-E1-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 40A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP40N10VDF-E1-AY

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TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

8,069 -
NP40N10VDF-E1-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 40A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP40N10VDF-E2-AY

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TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

7,045 -
NP40N10VDF-E2-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 40A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP48N055KHE-E1-AY

NP48N055KHE-E1-AY

TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

9,018 -
NP48N055KHE-E1-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 48A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP55N055SDG-E2-AY

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TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

5,954 -
NP55N055SDG-E2-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 55A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP70N10KUF-E2-AY

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TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

8,720 -
NP70N10KUF-E2-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 70A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
NP82N04PUG(1)-E1B-AY

NP82N04PUG(1)-E1B-AY

TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

7,737 -
NP82N04PUG(1)-E1B-AY

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 82A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
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