富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证
CAB011A12GM3

CAB011A12GM3

MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE

Wolfspeed, Inc.

5,026 -
CAB011A12GM3

数据表

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 141A (Tj) 13.9mOhm @ 150A, 15V 3.9V @ 34mA 354nC @ 15V - 11000pF @ 1000V 10mW Module -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAB008A12GM3T

CAB008A12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 182A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1 -
CAB008A12GM3T

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 182A (Tj) 10.4mOhm @ 150A, 15V 3.6V @ 46mA 472nC @ 15V - 13600pF @ 800V - Module -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAB003M09DM3

CAB003M09DM3

MOSFET 2N-CH 900V 518A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1 -
CAB003M09DM3

数据表

- Module Bulk Active SiCFET (Silicon Carbide) 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 518A (Tc) 3.25mOhm @ 400A, 15V 3.5V @ 130mA 840nC @ 15V - 20.4pF @ 900V 1.163kW (Tc) Module -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
CAR600M12HN6

CAR600M12HN6

MOSFET 2N-CH 1200V 908A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1 -
CAR600M12HN6

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 908A (Tc) - - - - 45300pF @ 0V - Module -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
CAR600M17HN6

CAR600M17HN6

MOSFET 2N-CH 1700V 986A MODULE

Wolfspeed, Inc.

7,731 -
CAR600M17HN6

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1700V (1.7kV) 986A (Tc) - - - - 55700pF @ 0V - Module -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
CAB7R5A23GM4T

CAB7R5A23GM4T

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

9,044 -
CAB7R5A23GM4T

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 2300V (2.3kV) 150A 10.5mOhm @ 160A, 15V 4V @ 76mA 590nC @ 15V Silicon Carbide (SiC) 24400pF @ 1.5kV 510W - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CCS020M12CM2

CCS020M12CM2

MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE

Wolfspeed, Inc.

3,780 -
CCS020M12CM2

数据表

Z-Rec® Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 29.5A (Tc) 98mOhm @ 20A, 20V 2.2V @ 1mA (Typ) 61.5nC @ 20V - 900pF @ 800V 167W Module -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAB6R0A23GM4T

CAB6R0A23GM4T

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

7,634 -
CAB6R0A23GM4T

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 2300V (2.3kV) 150A 8.4mOhm @ 200A, 15V 4V @ 95mA 735nC @ 15V Silicon Carbide (SiC) 30500pF @ 1.5kV 610W - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAB5R0A23GM4T

CAB5R0A23GM4T

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

6,127 -
CAB5R0A23GM4T

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 2300V (2.3kV) 150A 7mOhm @ 240A, 15V 4V @ 114mA 880nC @ 15V Silicon Carbide (SiC) 36600pF @ 1.5kV 710W - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAS100H12AM1

CAS100H12AM1

MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE

Wolfspeed, Inc.

4,424 -
CAS100H12AM1

数据表

Z-FET™ Module Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 168A 20mOhm @ 20A, 20V 3.1V @ 50mA - - 9500pF @ 800V 568W Module - Chassis Mount - -
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户