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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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CBB011M12GM4

CBB011M12GM4

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

16 -
CBB011M12GM4

数据表

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CBB011M12GM4T

CBB011M12GM4T

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

8 -
CBB011M12GM4T

数据表

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CHB011M12GM4T

CHB011M12GM4T

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

3 -
CHB011M12GM4T

数据表

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CAB011A12GM3T

CAB011A12GM3T

MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE

Wolfspeed, Inc.

5 -
CAB011A12GM3T

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 141A (Tj) 13.9mOhm @ 150A, 15V 3.9V @ 34mA 354nC @ 15V - 11000pF @ 1000V 10mW Module -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAB004M12GM4

CAB004M12GM4

SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G

Wolfspeed, Inc.

18 -
CAB004M12GM4

数据表

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CAB004M12GM4T

CAB004M12GM4T

SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G

Wolfspeed, Inc.

18 -
CAB004M12GM4T

数据表

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
CAB6R0A23GM4

CAB6R0A23GM4

MOSFET 2N-CH 2300V 150A

Wolfspeed, Inc.

6 -
CAB6R0A23GM4

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 2300V (2.3kV) 150A 8.4mOhm @ 200A, 15V 4V @ 95mA 735nC @ 15V Silicon Carbide (SiC) 30500pF @ 1.5kV 610W - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
HAS175M12BM3

HAS175M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 175A

Wolfspeed, Inc.

3 -
HAS175M12BM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 175A - - - Silicon Carbide (SiC) - - - - Chassis Mount - -
HAS350M12BM3

HAS350M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 350A

Wolfspeed, Inc.

3 -
HAS350M12BM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 350A - - - Silicon Carbide (SiC) - - - - Chassis Mount - -
HAS530M12BM3

HAS530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 530A

Wolfspeed, Inc.

3 -
HAS530M12BM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 530A - - - Silicon Carbide (SiC) - - - - Chassis Mount - -
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