富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证
CAB530M12BM3

CAB530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE

Wolfspeed, Inc.

4 -
CAB530M12BM3

数据表

- Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel 1200V (1.2kV) 530A 3.55mOhm @ 530A, 15V 3.6V @ 140mA 1362nC @ 4V - 39600pF @ 800V - Module -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
WAB400M12BM3

WAB400M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 468A MODULE

Wolfspeed, Inc.

21 -
WAB400M12BM3

数据表

- Module Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 468A (Tc) 4.25mOhm @ 400A, 15V 3.6V @ 106mA 1040nC @ 15V - 29700pF @ 800V - Module -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
CAS310M17BM3

CAS310M17BM3

SIC 1700V 310A

Wolfspeed, Inc.

5 -
CAS310M17BM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - 1700V (1.7kV) 310A - - - - - - - - Chassis Mount - -
CAB500M17HM3

CAB500M17HM3

MOSFET 2N-CH 1700V 653A MODULE

Wolfspeed, Inc.

6,839 -
CAB500M17HM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) 1700V (1.7kV) 653A (Tc) 2.6mOhm @ 500A, 15V 3.6V @ 203mA 1992nC @ 15V - 64900pF @ 1200V - Module -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
CAS480M12HM3

CAS480M12HM3

MOSFET 2N-CH 1200V 640A MODULE

Wolfspeed, Inc.

1 -
CAS480M12HM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 640A (Tc) 2.97mOhm @ 480A, 15V 3.6V @ 160mA 1590nC @ 15V - 43100pF @ 800V - Module -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
CAS175M12BM3

CAS175M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 228A

Wolfspeed, Inc.

3 -
CAS175M12BM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source 1200V (1.2kV) 228A (Tc) 10.4mOhm @ 175A, 15V 3.6V @ 43mA 422nC @ 15V - 12900pF @ 800V - - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
WAS175M12BM3

WAS175M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 228A

Wolfspeed, Inc.

4 -
WAS175M12BM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 228A (Tc) 10.4mOhm @ 175A, 15V 3.6V @ 43mA 422nC @ 15V - 12900pF @ 800V - - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAS350M12BM3

CAS350M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 417A

Wolfspeed, Inc.

4 -
CAS350M12BM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source 1200V (1.2kV) 417A (Tc) 5.2mOhm @ 350A, 15V 3.6V @ 85mA 844nC @ 15V - 25700pF @ 800V - - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CAS530M12BM3

CAS530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 630A

Wolfspeed, Inc.

4 -
CAS530M12BM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source 1200V (1.2kV) 630A (Tc) 3.47mOhm @ 530A, 15V 3.6V @ 127mA 1362nC @ 15V - 38900pF @ 800V - - -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
CHB011M12GM4

CHB011M12GM4

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Wolfspeed, Inc.

18 -
CHB011M12GM4

数据表

* - Box Active - - - - - - - - - - - - - - -
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户