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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

NXP USA Inc.

7,986 -
PMWD26UN,518

数据表

TrenchMOS™ 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 7.8A 30mOhm @ 3.5A, 4.5V 700mV @ 1mA 23.6nC @ 4.5V Logic Level Gate 1366pF @ 16V 3.1W 8-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
SI9936DY,518

SI9936DY,518

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO

NXP USA Inc.

4,985 -
SI9936DY,518

数据表

TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 50mOhm @ 5A, 10V 1V @ 250µA 35nC @ 10V Logic Level Gate - 900mW 8-SO 150°C (TJ) Surface Mount - -
PHN210,118

PHN210,118

MOSFET 2N-CH 30V 8SO

NXP USA Inc.

3,519 -
PHN210,118

数据表

TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V - 100mOhm @ 2.2A, 10V 2.8V @ 1mA 6nC @ 10V Logic Level Gate 250pF @ 20V 2W 8-SO -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
PMGD130UN,115

PMGD130UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

NXP USA Inc.

8,643 -
PMGD130UN,115

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 1.2A 145mOhm @ 1.2A, 4.5V 1V @ 250µA 1.3nC @ 4.5V Logic Level Gate 83pF @ 10V 390mW 6-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
PMGD175XN,115

PMGD175XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP

NXP USA Inc.

3,487 -
PMGD175XN,115

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA 225mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.1nC @ 4.5V Logic Level Gate 75pF @ 15V 390mW 6-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
BUK7K6R2-40E/CX

BUK7K6R2-40E/CX

MOSFET 2N-CH 56LFPAK

NXP USA Inc.

2,645 -
BUK7K6R2-40E/CX

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
PMDPB95XNE2115

PMDPB95XNE2115

MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON

NXP USA Inc.

5,135 -
PMDPB95XNE2115

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel 30V 2.7A (Ta) 99mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V - 258pF @ 15V 510mW (Ta), 8.33W (Tc) 6-HUSON (2x2) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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