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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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GBU6J-M3/45

GBU6J-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,259 -
GBU6J-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBU
GBU6K-M3/45

GBU6K-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,084 -
GBU6K-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBU
GBU6M-M3/45

GBU6M-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,641 -
GBU6M-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBU
GBU8B-M3/45

GBU8B-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,954 -
GBU8B-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBU
GBU8D-M3/45

GBU8D-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,848 -
GBU8D-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBU
GBU8G-M3/45

GBU8G-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,378 -
GBU8G-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBU
GBU8J-M3/45

GBU8J-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,346 -
GBU8J-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBU
VS-2KBB05R

VS-2KBB05R

RECTIFIER BRIDGE 50V 1.9A D-37

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,988 -
VS-2KBB05R

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - -
4GBL01

4GBL01

BRIDGE RECT 3PHASE 100V 4A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,312 -
4GBL01

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Obsolete Three Phase Standard 4 A - 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBL
GBU6A-E3/45

GBU6A-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,176 -
GBU6A-E3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
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