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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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GBU8G-M3/51

GBU8G-M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,827 -
GBU8G-M3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Tray Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBU
GBU8J-M3/51

GBU8J-M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,635 -
GBU8J-M3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Tray Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBU
GBU6A-E3/51

GBU6A-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,681 -
GBU6A-E3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
GBU8K-M3/51

GBU8K-M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,769 -
GBU8K-M3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Tray Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBU
GBU8M-M3/51

GBU8M-M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,803 -
GBU8M-M3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Tray Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBU
GBU6A-M3/45

GBU6A-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,912 -
GBU6A-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
GBU8A-M3/45

GBU8A-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,027 -
GBU8A-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
GBU6B-M3/45

GBU6B-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,400 -
GBU6B-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBU
GBU6D-M3/45

GBU6D-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,921 -
GBU6D-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 3 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBU
GBU6G-M3/45

GBU6G-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,404 -
GBU6G-M3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBU
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