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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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DF15005S-E3/77

DF15005S-E3/77

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DFS

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,550 -
DF15005S-E3/77

数据表

- 4-SMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active Single Phase Standard 1.5 A 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Surface Mount DFS
EDF1DS-E3/45

EDF1DS-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,205 -
EDF1DS-E3/45

数据表

- 4-SMD, Gull Wing Tube Active Single Phase Standard 1 A 1.05 V @ 1 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Surface Mount DFS
GBL08E-E3/A

GBL08E-E3/A

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,333 -
GBL08E-E3/A

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Active Single Phase Standard 2.6 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBL
GBL06E-E3/A

GBL06E-E3/A

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,540 -
GBL06E-E3/A

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Active Single Phase Standard 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBL
GBL01E-E3/P

GBL01E-E3/P

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2.6A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,500 -
GBL01E-E3/P

数据表

- 4-SIP, GBL Tube Active Single Phase Standard 2.6 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBL
GBL06E-E3/P

GBL06E-E3/P

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,230 -
GBL06E-E3/P

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Active Single Phase Standard 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBL
GBL10E-E3/A

GBL10E-E3/A

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

735 -
GBL10E-E3/A

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Active Single Phase Standard 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBL
G3SBA60-E3/45

G3SBA60-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,526 -
G3SBA60-E3/45

数据表

- 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 2.3 A 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBU
GBU4A-E3/51

GBU4A-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

939 -
GBU4A-E3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
GBU6G-E3/51

GBU6G-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,000 -
GBU6G-E3/51

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBU
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