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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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BU2506-E3/51

BU2506-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,492 -
BU2506-E3/51

数据表

- 4-SIP, BU Bulk Active Single Phase Standard 3.5 A 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole isoCINK+™ BU
BU2506-E3/45

BU2506-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

780 -
BU2506-E3/45

数据表

- 4-SIP, BU Bulk Active Single Phase Standard 3.5 A 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole isoCINK+™ BU
BU2506-M3/45

BU2506-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.5A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

753 -
BU2506-M3/45

数据表

- 4-SIP, BU Tube Active Single Phase Standard 3.5 A 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole isoCINK+™ BU
BU2010-E3/51

BU2010-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.5A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,658 -
BU2010-E3/51

数据表

- 4-SIP, BU Bulk Active Single Phase Standard 3.5 A 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole isoCINK+™ BU
BU2010-E3/45

BU2010-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.5A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

706 -
BU2010-E3/45

数据表

- 4-SIP, BU Tube Active Single Phase Standard 3.5 A 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole isoCINK+™ BU
BU2010-M3/45

BU2010-M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

439 -
BU2010-M3/45

数据表

- 4-SIP, BU Tube Active Single Phase Standard 20 A 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole isoCINK+™ BU
BU2508-E3/45

BU2508-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.5A BU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

272 -
BU2508-E3/45

数据表

- 4-SIP, BU Tray Active Single Phase Standard 3.5 A 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole isoCINK+™ BU
PB3008-E3/45

PB3008-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 30A PB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

995 -
PB3008-E3/45

数据表

- 4-SIP, PB Tube Active Single Phase Standard 30 A 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole isoCINK+™ PB
KBU6J-E4/51

KBU6J-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

429 -
KBU6J-E4/51

数据表

- 4-SIP, KBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V -50°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole KBU
KBU6M-E4/51

KBU6M-E4/51

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

292 -
KBU6M-E4/51

数据表

- 4-SIP, KBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -50°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole KBU
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