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单个齐纳二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 容差 阻抗(最大值)(Zzt) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 工作温度 等级 功率 - 最大值 认证 安装类型 供应商设备封装

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BZV85-C75,113

BZV85-C75,113

DIODE ZENER 75V 1.3W DO41

NXP Semiconductors

103,425 -
BZV85-C75,113

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active 75 V ±5% 225 Ohms 50 nA @ 53 V 1 V @ 50 mA -65°C ~ 200°C - 1.3 W - Through Hole DO-41
1N4730A,113

1N4730A,113

DIODE ZENER 3.9V 1W DO41

NXP USA Inc.

91,773 -
1N4730A,113

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
1N4732A,113

1N4732A,113

DIODE ZENER 4.7V 1W DO41

NXP USA Inc.

85,000 -
1N4732A,113

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
1N4735A,113

1N4735A,113

DIODE ZENER 6.2V 1W DO41

NXP USA Inc.

80,000 -
1N4735A,113

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZV85-C30,133

BZV85-C30,133

DIODE VREG 30V 1.3W DO-41

NXP USA Inc.

75,000 -
BZV85-C30,133

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
PZU20B1,115

PZU20B1,115

DIODE ZENER 20V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

72,000 -
PZU20B1,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZV85-C5V1,113

BZV85-C5V1,113

DIODE ZENER 5.1V 1W DO41

NXP Semiconductors

70,928 -
BZV85-C5V1,113

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active 5.1 V ±5% 10 Ohms 3 µA @ 2 V 1 V @ 50 mA 200°C - 1 W - Through Hole DO-41
BZV85-C47,133

BZV85-C47,133

DIODE ZENER 47V 1.3W DO41

NXP USA Inc.

70,000 -
BZV85-C47,133

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
PZU20B2,115

PZU20B2,115

DIODE ZENER 20V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

66,120 -
PZU20B2,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
PZU5.6B3,115

PZU5.6B3,115

DIODE ZENER 5.6V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

62,000 -
PZU5.6B3,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
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