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单个齐纳二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 容差 阻抗(最大值)(Zzt) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 工作温度 等级 功率 - 最大值 认证 安装类型 供应商设备封装

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PZU11B3,115

PZU11B3,115

DIODE ZENER 11V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

21,000 -
PZU11B3,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZV85-C10,113

BZV85-C10,113

DIODE ZENER 10V 1.3W DO41

NXP USA Inc.

17,421 -
BZV85-C10,113

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
PZU9.1B3,115

PZU9.1B3,115

DIODE ZENER 9.1V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

17,047 -
PZU9.1B3,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
PZU3.9B1,115

PZU3.9B1,115

DIODE ZENER 3.9V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

15,430 -
PZU3.9B1,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
PZU6.8B,115

PZU6.8B,115

DIODE ZENER 6.8V 310MW SOD323F

NXP USA Inc.

12,800 -
PZU6.8B,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
TDZ3V3J,115

TDZ3V3J,115

DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD323F

NXP Semiconductors

10,104 -
TDZ3V3J,115

数据表

TDZxJ SC-90, SOD-323F Bulk Active 3.3 V ±2% 95 Ohms 5 µA @ 1 V 1.1 V @ 100 mA -55°C ~ 150°C Automotive 500 mW AEC-Q101 Surface Mount SOD-323F
BZX884-B30,315

BZX884-B30,315

DIODE ZENER 30V 250MW DFN1006-2

NXP Semiconductors

10,000 -
BZX884-B30,315

数据表

- SOD-882 Bulk Active 30 V ±2% 80 Ohms 50 nA @ 21 V 900 mV @ 10 mA -65°C ~ 150°C - 250 mW - Surface Mount DFN1006-2
1N4741A,133

1N4741A,133

DIODE ZENER 11V 1W DO41

NXP Semiconductors

9,549 -
1N4741A,133

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active 11 V ±5% 8 Ohms 5 µA @ 8.4 V 1.2 V @ 200 mA -65°C ~ 200°C (TJ) - 1 W - Through Hole DO-41
BZX84-A20,215

BZX84-A20,215

DIODE ZENER 20V 250MW TO236AB

NXP Semiconductors

120,120 -
BZX84-A20,215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active 20 V ±1% 55 Ohms 50 nA @ 14 V 900 mV @ 10 mA -65°C ~ 150°C Automotive 250 mW AEC-Q101 Surface Mount TO-236AB
BZV49-C36,115

BZV49-C36,115

DIODE ZENER 36V 1W SOT89

NXP USA Inc.

32,498 -
BZV49-C36,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
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