富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
P1000A-CT

P1000A-CT

DIODE GEN PURP 50V 10A P600

Diotec Semiconductor

5,074 -
P1000A-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 50 V 1.05 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 50 V - 10A - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
P1000M-CT

P1000M-CT

DIODE GEN PURP 1KV 10A P600

Diotec Semiconductor

6,476 -
P1000M-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 1000 V 1.05 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1 V - 10A - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
BY550-400-CT

BY550-400-CT

DIODE GEN PURP 400V 5A DO201

Diotec Semiconductor

7,157 -
BY550-400-CT

数据表

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 400 V 1 V @ 5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 400 V - 5A - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
P2000G-CT

P2000G-CT

DIODE GEN PURP 400V 20A P600

Diotec Semiconductor

6,358 -
P2000G-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 400 V 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 400 V - 20A - - Through Hole P600 -50°C ~ 150°C
P2000K-CT

P2000K-CT

DIODE GEN PURP 800V 20A P600

Diotec Semiconductor

8,322 -
P2000K-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 800 V 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 800 V - 20A - - Through Hole P600 -50°C ~ 150°C
GL1J-CT

GL1J-CT

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AA

Diotec Semiconductor

4,533 -
GL1J-CT

数据表

- DO-213AA Strip Active Standard 600 V 1.3 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 600 V - 1A - - Surface Mount DO-213AA (MINIMELF) -50°C ~ 175°C
SM4005-CT

SM4005-CT

DIODE GP 600V 1A MELF DO-213AB

Diotec Semiconductor

3,702 -
SM4005-CT

数据表

- DO-213AB, MELF Strip Active Standard 600 V 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 600 V - 1A - - Surface Mount DO-213AB (MELF) -50°C ~ 175°C
ER1G

ER1G

DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Diotec Semiconductor

8,528 -
ER1G

数据表

- DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 400 V 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 400 V - 1A - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
P1000G-CT

P1000G-CT

DIODE GEN PURP 400V 10A P600

Diotec Semiconductor

2,909 -
P1000G-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 400 V 1.05 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 400 V - 10A - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
P600M-CT

P600M-CT

DIODE GEN PURP 1KV 6A P600

Diotec Semiconductor

9,442 -
P600M-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 1000 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1 V - 6A - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户