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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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S2W-CT

S2W-CT

DIODE GEN PURP 1.6KV 2A SMB

Diotec Semiconductor

6,460 -
S2W-CT

数据表

- DO-214AA, SMB Strip Active Standard 1600 V 1.15 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1.6 V - 2A - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -50°C ~ 150°C
SL1K-CT

SL1K-CT

DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123F

Diotec Semiconductor

9,599 -
SL1K-CT

数据表

- SOD-123F Strip Active Standard 800 V 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1 µs 1 µA @ 800 V - 1A - - Surface Mount SOD-123F (SMF) -50°C ~ 150°C
BY880-1000-CT

BY880-1000-CT

DIODE GEN PURP 1KV 8A DO201

Diotec Semiconductor

2,616 -
BY880-1000-CT

数据表

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 1000 V 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1 V - 8A - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
P600J-CT

P600J-CT

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

Diotec Semiconductor

6,284 -
P600J-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 600 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 600 V - 6A - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
BY550-100-CT

BY550-100-CT

DIODE GEN PURP 100V 5A DO201

Diotec Semiconductor

5,571 -
BY550-100-CT

数据表

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 100 V 1 V @ 5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 100 V - 5A - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 175°C
BY255-AQ-CT

BY255-AQ-CT

DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201

Diotec Semiconductor

7,003 -
BY255-AQ-CT

数据表

- DO-201AA, DO-27, Axial Strip Active Standard 1300 V 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1.3 V - 3A - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 150°C
S2T-CT

S2T-CT

DIODE GEN PURP 1.3KV 2A SMB

Diotec Semiconductor

8,304 -
S2T-CT

数据表

- DO-214AA, SMB Strip Active Standard 1300 V 1.15 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 1.3 V - 2A - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -50°C ~ 150°C
P600S-CT

P600S-CT

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A P600

Diotec Semiconductor

2,512 -
P600S-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 1200 V 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1.2 V - 6A - - Through Hole P600 -50°C ~ 175°C
P2000D-CT

P2000D-CT

DIODE GEN PURP 200V 20A P600

Diotec Semiconductor

9,648 -
P2000D-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 200 V 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 200 V - 20A - - Through Hole P600 -50°C ~ 150°C
P1200B-CT

P1200B-CT

DIODE GEN PURP 100V 12A P600

Diotec Semiconductor

6,705 -
P1200B-CT

数据表

- P600, Axial Strip Active Standard 100 V 950 mV @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 12A - - Through Hole P600 -50°C ~ 150°C
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