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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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BAS16

BAS16

DIODE GEN PURP 75V 215MA SC59-3

Fairchild Semiconductor

9,323 -
BAS16

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 75 V 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 80 V 1.2pF @ 0V, 1MHz 215mA - - Surface Mount SC-59-3 150°C (Max)
RURD4120S9A-SB82080

RURD4120S9A-SB82080

RECTIFIER, AVALANCHE, 4A, 1200V

Fairchild Semiconductor

9,164 -
RURD4120S9A-SB82080

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
ES1D

ES1D

DIODE GP 200V 1A DO214AC SMA

Fairchild Semiconductor

7,843 -
ES1D

数据表

- DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 200 V 920 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 5 µA @ 200 V - 1A - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
EGP30B

EGP30B

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Fairchild Semiconductor

8,751 -
EGP30B

数据表

- DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 100 V 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 95pF @ 4V, 1MHz 3A - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
S1G

S1G

DIODE GP 400V 1A DO214AC SMA

Fairchild Semiconductor

9,676 -
S1G

数据表

- DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 400 V 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 400 V - 1A - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
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