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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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C6D08065A

C6D08065A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

3,134 -
C6D08065A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C4D15120A

C4D15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 43.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

3,666 -
C4D15120A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz 43.5A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D04060A

C3D04060A

DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

5,109 -
C3D04060A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz 13.5A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C4D02120E-TR

C4D02120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

11,748 -
C4D02120E-TR

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 167pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C4D02120E

C4D02120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

10,786 -
C4D02120E

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 167pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C3D06060A

C3D06060A

DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

3,162 -
C3D06060A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz 19A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D06060F

C3D06060F

DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2

Wolfspeed, Inc.

1,323 -
C3D06060F

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 294pF @ 0V, 1MHz 11.5A - - Through Hole TO-220-F2 -55°C ~ 175°C
C3D10060A

C3D10060A

DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,991 -
C3D10060A

数据表

Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D10060G

C3D10060G

DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,068 -
C3D10060G

数据表

Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz 29A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C4D05120E

C4D05120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,241 -
C4D05120E

数据表

Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz 19A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
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