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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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STPS30M100SFP

STPS30M100SFP

DIODE SCHOTT 100V 30A TO220FPAB

STMicroelectronics

1,400 -
STPS30M100SFP

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active Schottky 100 V 800 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 175 µA @ 100 V - 30A - - Through Hole TO-220FPAB 150°C (Max)
STPSC2H065B-TR

STPSC2H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK

STMicroelectronics

4,630 -
STPSC2H065B-TR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 135pF @ 0V, 1MHz 2A - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
STTH25M06FP

STTH25M06FP

DIODE GP 600V 25A TO220FPAC

STMicroelectronics

721 -
STTH25M06FP

数据表

ECOPACK®2 TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 3.4 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - 25A - - Through Hole TO-220FPAC 175°C (Max)
STTH15R06D

STTH15R06D

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

STMicroelectronics

922 -
STTH15R06D

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 2.9 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 60 µA @ 600 V - 15A - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
STTH152RL

STTH152RL

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

STMicroelectronics

4,452 -
STTH152RL

数据表

- DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 950 mV @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 32 ns 1.5 µA @ 200 V - 1.5A - - Through Hole DO-15 175°C (Max)
STPSC8H065DI

STPSC8H065DI

DIODE SIC 650V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

793 -
STPSC8H065DI

数据表

- TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 650 V - 8A - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06GY-TR

STTH30RQ06GY-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

STMicroelectronics

15,938 -
STTH30RQ06GY-TR

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - 30A Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC4H065B-TR

STPSC4H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

STMicroelectronics

3,101 -
STPSC4H065B-TR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 200pF @ 0V, 1MHz 4A - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
STTH1512G-TR

STTH1512G-TR

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

4,553 -
STTH1512G-TR

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 15 µA @ 1200 V - 15A - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
STTH152

STTH152

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15

STMicroelectronics

9,016 -
STTH152

数据表

- DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 950 mV @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 32 ns 1.5 µA @ 200 V - 1.5A - - Through Hole DO-15 175°C (Max)
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