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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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STPSC10H12GY-TR

STPSC10H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,893 -
STPSC10H12GY-TR

数据表

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz 10A Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC10H12B2-TR

STPSC10H12B2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DPAK HV

STMicroelectronics

4,653 -
STPSC10H12B2-TR

数据表

ECOPACK®2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount DPAK HV -40°C ~ 175°C
STTH6010W

STTH6010W

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

787 -
STTH6010W

数据表

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - 60A - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC12065G2-TR

STPSC12065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

1,155 -
STPSC12065G2-TR

数据表

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz 12A - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,955 -
STPSC10H12G-TR

数据表

ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz 10A - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06L2Y-TR

STTH30RQ06L2Y-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

823 -
STTH30RQ06L2Y-TR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - 30A Automotive AEC-Q101 Surface Mount HU3PAK -40°C ~ 175°C
STTH3006D

STTH3006D

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

STMicroelectronics

4,125 -
STTH3006D

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
STTH2002G

STTH2002G

DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK

STMicroelectronics

5,376 -
STTH2002G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete Standard 200 V 1.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 10 µA @ 200 V - 20A - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
STTH2R02Q

STTH2R02Q

DIODE GEN PURP 200V 2A DO15

STMicroelectronics

4,504 -
STTH2R02Q

数据表

- DO-204AC, DO-15, Axial Tape & Box (TB) Obsolete Standard 200 V 1 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 3 µA @ 200 V - 2A - - Through Hole DO-15 175°C (Max)
STTH4R02B

STTH4R02B

DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK

STMicroelectronics

4,395 -
STTH4R02B

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete Standard 200 V 1.05 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 3 µA @ 200 V - 4A - - Surface Mount DPAK 175°C (Max)
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