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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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SICRD10650CT

SICRD10650CT

DIODE SIL CARBIDE 650V 5A DPAK

SMC Diode Solutions

5,249 -
SICRD10650CT

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V - 5A - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
SICRB20650A

SICRB20650A

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK

SMC Diode Solutions

567 -
SICRB20650A

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 100 µA @ 650 V 1190pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
S3D20065G

S3D20065G

DIODE SIC 650V 20A TO263-2

SMC Diode Solutions

565 -
S3D20065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 650 V 1450pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
SICRB10650CT

SICRB10650CT

DIODE SIL CARBIDE 650V 5A D2PAK

SMC Diode Solutions

4,457 -
SICRB10650CT

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V - 5A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
SICRB12650

SICRB12650

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

SMC Diode Solutions

247 -
SICRB12650

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz 12A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S4D20120G

S4D20120G

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

SMC Diode Solutions

388 -
S4D20120G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 721pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S4D10120H

S4D10120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247AC

SMC Diode Solutions

507 -
S4D10120H

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S4D20120A

S4D20120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

SMC Diode Solutions

1,043 -
S4D20120A

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 721pF @ 0V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D30065G

S3D30065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 84A D2PAK

SMC Diode Solutions

414 -
S3D30065G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz 84A - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S4D30120H2

S4D30120H2

1200V, 30A, TO-247AC, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

205 -
S4D30120H2

数据表

- TO-247-2 Tube Active Schottky 1200 V 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 2581pF @ 0V, 1MHz 94A - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
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