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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
RKP204KP#R0

RKP204KP#R0

DIODE FOR ANTENNA SWITCHING

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
RKP204KP#R0

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1SS81TA-E

1SS81TA-E

DIODE 150V 200MA DO35

Renesas Electronics Corporation

27,500 -
1SS81TA-E

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active - 150 V 1 V @ 100 mA - 100 ns 200 nA @ 150 V 1.5pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-35 175°C
1S953-T2

1S953-T2

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

Renesas Electronics Corporation

20,935 -
1S953-T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSS81JTA

HSS81JTA

RECTIFIER DIODE, 0.15A, 200V

Renesas Electronics Corporation

15,000 -
HSS81JTA

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1S953-TB-AZ

1S953-TB-AZ

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

Renesas Electronics Corporation

11,528 -
1S953-TB-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSD119-NKRF-E

HSD119-NKRF-E

DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING

Renesas Electronics Corporation

8,000 -
HSD119-NKRF-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1SS119-04TJ-E

1SS119-04TJ-E

RECTIFIER DIODES

Renesas Electronics Corporation

6,110,000 -
1SS119-04TJ-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1SS83TD-E

1SS83TD-E

DIODE 250V 200MA DO35

Renesas Electronics Corporation

1,514,110 -
1SS83TD-E

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active - 250 V 1 V @ 100 mA - 100 ns 200 nA @ 250 V 1.5pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-35 175°C
1S2076TD-E

1S2076TD-E

DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING

Renesas Electronics Corporation

893,500 -
1S2076TD-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1SS81TD-E

1SS81TD-E

DIODE 150V 200MA DO35

Renesas Electronics Corporation

888,818 -
1SS81TD-E

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active - 150 V 1 V @ 100 mA - 100 ns 200 nA @ 150 V 1.5pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-35 175°C
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