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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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RKD704KP#R5

RKD704KP#R5

DIODE SCHOTTKY 30V 50MA MP6

Renesas Electronics Corporation

250,000 -
RKD704KP#R5

数据表

- 2-SMD, No Lead Bulk Obsolete Schottky 30 V 340 mV @ 20 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 µA @ 30 V 5pF @ 1V, 1MHz 50mA - - Surface Mount MP6 125°C (Max)
1S953-T4-AZ

1S953-T4-AZ

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

Renesas Electronics Corporation

213,000 -
1S953-T4-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSU227JTRF-E

HSU227JTRF-E

SCHOTTKY BARRIER DIODE

Renesas Electronics Corporation

204,000 -
HSU227JTRF-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSD119KRF-E

HSD119KRF-E

DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING

Renesas Electronics Corporation

147,300 -
HSD119KRF-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSL226KRF-E

HSL226KRF-E

DIODE SCHOTTKY 25V 50MA 2EFP

Renesas Electronics Corporation

120,000 -
HSL226KRF-E

数据表

- 2-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete Schottky 25 V 380 mV @ 5 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 450 nA @ 20 V 2.8pF @ 1V, 1MHz 50mA - - Surface Mount 2-EFP 125°C (Max)
1SS81RE-E

1SS81RE-E

DIODE 150V 200MA DO35

Renesas Electronics Corporation

100,000 -
1SS81RE-E

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active - 150 V 1 V @ 100 mA - 100 ns 200 nA @ 150 V 1.5pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-35 175°C
RKD702KL-N#R1

RKD702KL-N#R1

SCHOTTKY BARRIER DIODE

Renesas Electronics Corporation

80,000 -
RKD702KL-N#R1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1S953-T1

1S953-T1

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

Renesas Electronics Corporation

30,355 -
1S953-T1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
HSS104TA-E

HSS104TA-E

RECTIFIER DIODE, 0.11A

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
HSS104TA-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1S953-TB

1S953-TB

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
1S953-TB

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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