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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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MURF550PFG

MURF550PFG

DIODE GEN PURP 520V 5A TO220FP

onsemi

4,085 -
MURF550PFG

数据表

SWITCHMODE™ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Standard 520 V 1.15 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 95 ns 5 µA @ 520 V - 5A - - Through Hole TO-220FP -65°C ~ 175°C
FFA40UP35STU

FFA40UP35STU

DIODE GEN PURP 350V 40A TO3PN

onsemi

9,986 -
FFA40UP35STU

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete Standard 350 V 1.6 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 350 V - 40A - - Through Hole TO-3PN -65°C ~ 150°C
FFSB3065B

FFSB3065B

DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2

onsemi

3,732 -
FFSB3065B

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz 73A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSH10120A-F085

FFSH10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

895 -
FFSH10120A-F085

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz 17A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB3065B-F085

FFSB3065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK

onsemi

4,032 -
FFSB3065B-F085

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz 73A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK

onsemi

197 -
FFSB10120A-F085

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz 21A Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB20120A

FFSB20120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 32A D2PAK-3

onsemi

503 -
FFSB20120A

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz 32A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
NDSH10170A

NDSH10170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

onsemi

374 -
NDSH10170A

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 856pF @ 1V, 100kHz 16A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
NTS560MFST3G

NTS560MFST3G

DIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFN

onsemi

4,537 -
NTS560MFST3G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 60 V 600 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 55 µA @ 60 V - 5A - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 150°C
FFP08H60STU

FFP08H60STU

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L

onsemi

9,863 -
FFP08H60STU

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 2.1 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 600 V - 8A - - Through Hole TO-220-2L -65°C ~ 150°C
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