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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
1N3168R

1N3168R

STANDARD RECTIFIER

Microchip Technology

6,924 -
1N3168R

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 1.55 V @ 940 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 400 V - 300A - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 200°C
JANS1N5822

JANS1N5822

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIAL

Microchip Technology

5,277 -
JANS1N5822

数据表

- B, Axial Bulk Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - 3A Military MIL-PRF-19500/620 Through Hole B, Axial -65°C ~ 125°C
MSASC25W45K

MSASC25W45K

DIODE SCHOTTKY 45V 25A THINKEY2

Microchip Technology

8,239 -
MSASC25W45K

数据表

- ThinKey™2 Bulk Active Schottky 45 V 775 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 45 V - 25A - - Surface Mount ThinKey™2 -55°C ~ 175°C
MSASC25W45K/TR

MSASC25W45K/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 25A THINKEY2

Microchip Technology

3,051 -
MSASC25W45K/TR

数据表

- ThinKey™2 Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 775 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 45 V - 25A - - Surface Mount ThinKey™2 -55°C ~ 175°C
1N6763R

1N6763R

DIODE GEN PURP 100V 12A TO254

Microchip Technology

8,196 -
1N6763R

数据表

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 5V, 1MHz 12A - - Through Hole TO-254 -55°C ~ 175°C
1N6764R

1N6764R

DIODE GEN PURP 150V 12A TO254

Microchip Technology

5,827 -
1N6764R

数据表

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 300pF @ 5V, 1MHz 12A - - Through Hole TO-254 -55°C ~ 175°C
1N6765R

1N6765R

DIODE GEN PURP 200V 12A TO254

Microchip Technology

2,546 -
1N6765R

数据表

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.05 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 300pF @ 5V, 1MHz 12A - - Through Hole TO-254 -55°C ~ 175°C
UFR3280R

UFR3280R

DIODE GEN PURP 800V 30A DO203AA

Microchip Technology

9,307 -
UFR3280R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.35 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns - - 30A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) 175°C (Max)
UFR3270R

UFR3270R

DIODE GP REV 700V 30A DO203AA

Microchip Technology

6,704 -
UFR3270R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 700 V 1.35 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 15 µA @ 700 V 100pF @ 10V, 1MHz 30A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
JAN1N6657

JAN1N6657

DIODE GEN PURP 100V 15A TO254

Microchip Technology

3,534 -
JAN1N6657

数据表

- TO-254-3, TO-254AA Bulk Active Standard 100 V 1.2 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 150pF @ 10V, 1MHz 15A Military MIL-PRF-19500/616 Through Hole TO-254 -
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