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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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JANS1N5809URS

JANS1N5809URS

DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELF

Microchip Technology

3,552 -
JANS1N5809URS

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - 6A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5811URS

JANS1N5811URS

DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF

Microchip Technology

9,437 -
JANS1N5811URS

数据表

- SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - 6A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5807URS/TR

JANS1N5807URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

2,529 -
JANS1N5807URS/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz 3A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5809URS/TR

JANS1N5809URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,332 -
JANS1N5809URS/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz 3A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANS1N5811URS/TR

JANS1N5811URS/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,074 -
JANS1N5811URS/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz 3A Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N3736

1N3736

DIODE GP 200V 275A DO205AB DO9

Microchip Technology

2,661 -
1N3736

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.3 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 75 µA @ 200 V - 275A - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 190°C
UES2606HR2

UES2606HR2

DIODE GEN PURP 30A TO3

Microchip Technology

9,894 -
UES2606HR2

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard - 1.25 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 30A - - Through Hole TO-3 -55°C ~ 150°C
UES2606RHR2

UES2606RHR2

DIODE GEN PURP 30A TO3

Microchip Technology

9,943 -
UES2606RHR2

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active Standard - 1.25 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 30A - - Through Hole TO-3 -55°C ~ 150°C
1N6864US/TR

1N6864US/TR

DIODE SCHOTTKY 80V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

2,353 -
1N6864US/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Schottky 80 V 700 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 80 V - 3A - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 125°C
JANTX1N6843U3

JANTX1N6843U3

DIODE SCHOTTKY 100V 10A U3

Microchip Technology

2,144 -
JANTX1N6843U3

数据表

- 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 100 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 10A - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -65°C ~ 150°C
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