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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1305SM

UES1305SM

RECTIFIER

Microchip Technology

5,577 -
UES1305SM

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1306SM

UES1306SM

RECTIFIER

Microchip Technology

9,761 -
UES1306SM

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6080US/TR

1N6080US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,074 -
1N6080US/TR

数据表

- SQ-MELF, C Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1.5 V @ 37.7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 100 V - 2A - - Surface Mount D-5C -65°C ~ 155°C
UES1304SM/TR

UES1304SM/TR

DIODE GEN PURP 200V 5A D-5B

Microchip Technology

7,217 -
UES1304SM/TR

数据表

- SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - 5A - - Surface Mount D-5B -
UES1305SM/TR

UES1305SM/TR

DIODE GEN PURP 300V 5A B SQ-MELF

Microchip Technology

4,824 -
UES1305SM/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 300 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 300 V - 5A - - Surface Mount B, SQ-MELF -55°C ~ 150°C
S3820

S3820

DIODE GEN PURP 200V 100A DO5

Microchip Technology

8,467 -
S3820

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.15 V @ 200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 200 V - 100A - - Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
R5020PF

R5020PF

DIODE GEN PURP 200V 50A DO21

Microchip Technology

5,926 -
R5020PF

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 200 V 1.05 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 200 V - 50A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
R5040PF

R5040PF

DIODE GEN PURP 400V 50A DO21

Microchip Technology

6,035 -
R5040PF

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 400 V 1.05 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - 50A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
R5060PF

R5060PF

DIODE GEN PURP 600V 50A DO21

Microchip Technology

2,398 -
R5060PF

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 600 V 1.05 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 50A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
R5080PF

R5080PF

DIODE GEN PURP 800V 50A DO21

Microchip Technology

7,886 -
R5080PF

数据表

- DO-208AA Bulk Active Standard 800 V 1.05 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V - 50A - - Press Fit DO-21 -65°C ~ 175°C
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