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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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SDS065J010N3-ISATH

SDS065J010N3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220N-2L

Luminus Devices Inc.

290 -
SDS065J010N3-ISATH

数据表

Sanan TO220N TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz 26A - - Through Hole TO-220N-2L -55°C ~ 175°C
SDS065J006C3-ISATH

SDS065J006C3-ISATH

DIODE 650V-6A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J006C3-ISATH

数据表

Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS065J006E3-ISARH

SDS065J006E3-ISARH

DIODE 650V-6A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J006E3-ISARH

数据表

Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz 20A - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
SDS065J006S3-ISBRH

SDS065J006S3-ISBRH

DIODE 650V-6A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J006S3-ISBRH

数据表

Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz 23A - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008D3-ISARH

SDS065J008D3-ISARH

DIODE 650V-8A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J008D3-ISARH

数据表

Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.3 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V - 8A - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
SDS065J008C3-ISATH

SDS065J008C3-ISATH

DIODE 650V-8A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J008C3-ISATH

数据表

Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz 25A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS065J016C3-ISATH

SDS065J016C3-ISATH

DIODE 650V-16A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J016C3-ISATH

数据表

Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 48 µA @ 650 V 837pF @ 0V, 1MHz 44A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS065J008S3-ISBRH

SDS065J008S3-ISBRH

DIODE 650V-8A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS065J008S3-ISBRH

数据表

Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz 29A - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS120J005D3-ISARH

SDS120J005D3-ISARH

DIODE 1200V-5A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS120J005D3-ISARH

数据表

Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 400pF @ 0V, 1MHz 22A - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
SDS120J005C3-ISATH

SDS120J005C3-ISATH

DIODE 1200V-5A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200 -
SDS120J005C3-ISATH

数据表

Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 400pF @ 0V, 1MHz 22A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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