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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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GT20N135SRA,S1E

GT20N135SRA,S1E

IGBT 1350V 40A TO247

Toshiba Semiconductor and Storage

1 -
GT20N135SRA,S1E

数据表

- TO-247-3 Tube Active - 1350 V 80 A 2.4V @ 15V, 40A 312 W Through Hole -, 700µJ (off) Standard 40 A 185 nC - - 300V, 40A, 39Ohm, 15V TO-247 - - 175°C (TJ)
GT50J341,Q

GT50J341,Q

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC

Toshiba Semiconductor and Storage

9,345 -
GT50J341,Q

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active - 600 V 100 A 2.2V @ 15V, 50A 200 W Through Hole - Standard 50 A - - - - TO-3P(N) - - 175°C (TJ)
GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)

PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

Toshiba Semiconductor and Storage

8,289 -
GT50JR22(STA1,E,S)

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 100 A 2.2V @ 15V, 50A 230 W Through Hole - Standard 50 A - - - - TO-3P(N) - - 175°C (TJ)
GT30J341,Q

GT30J341,Q

IGBT 600V 59A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

5,884 -
GT30J341,Q

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Last Time Buy - 600 V 120 A 2V @ 15V, 30A 230 W Through Hole 800µJ (on), 600µJ (off) Standard 59 A - 80ns/280ns - 300V, 30A, 24Ohm, 15V TO-3P(N) - 50 ns 175°C (TJ)
GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

IGBT 400V 1W 8-SOIC

Toshiba Semiconductor and Storage

3,282 -
GT10G131(TE12L,Q)

数据表

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V 200 A 2.3V @ 4V, 200A 1 W Surface Mount - Standard - - 3.1µs/2µs - - 8-SOP (5.5x6.0) - - 150°C (TJ)
GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

3,973 -
GT10J312(Q)

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete - 600 V 20 A 2.7V @ 15V, 10A 60 W Through Hole - Standard 10 A - 400ns/400ns - 300V, 10A, 100Ohm, 15V - - 200 ns 150°C (TJ)
GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Toshiba Semiconductor and Storage

8,017 -
GT60N321(Q)

数据表

- TO-3PL Tube Obsolete - 1000 V 120 A 2.8V @ 15V, 60A 170 W Through Hole - Standard 60 A - 330ns/700ns - - TO-3P(LH) - 2.5 µs 150°C (TJ)
GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

IGBT 400V 600MW 8TSSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

2,169 -
GT8G133(TE12L,Q)

数据表

- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete - 400 V 150 A 2.9V @ 4V, 150A 600 mW Surface Mount - Standard - - 1.7µs/2µs - - 8-TSSOP - - 150°C (TJ)
GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

Toshiba Semiconductor and Storage

8,794 -
GT50J121(Q)

数据表

- TO-3PL Tube Obsolete - 600 V 100 A 2.45V @ 15V, 50A 240 W Through Hole 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) Standard 50 A - 90ns/300ns - 300V, 50A, 13Ohm, 15V TO-3P(LH) - - 150°C (TJ)
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