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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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FMM7G20US60I

FMM7G20US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

34 -
FMM7G20US60I

数据表

- Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 20 A 89 W 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 nF @ 30 V 600 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G30US60N

FMM7G30US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

31 -
FMM7G30US60N

数据表

- Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V 600 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G50US60I

FMM7G50US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

31 -
FMM7G50US60I

数据表

- Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 50 A 139 W 2.7V @ 15V, 50A 250 µA 3.565 nF @ 30 V 600 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G20US60N

FMM7G20US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

22 -
FMM7G20US60N

数据表

- Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 20 A 89 W 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 nF @ 30 V 600 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G30US60I

FMM7G30US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

17 -
FMM7G30US60I

数据表

- Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V 600 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMG2G75US60

FMG2G75US60

IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL

Fairchild Semiconductor

5,475 -
FMG2G75US60

数据表

- 7PM-GA Bulk Obsolete - Half Bridge 75 A 310 W 2.8V @ 15V, 75A 250 µA 7.056 nF @ 30 V 600 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 7PM-GA
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