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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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MSCGLQ75X120CTYZBNMG

MSCGLQ75X120CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-NHPD

Microchip Technology

8,634 -
MSCGLQ75X120CTYZBNMG

数据表

- Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 150 A 452 W 2.4V @ 15V, 75A 50 µA 4400 pF @ 25 V 1200 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ100X065CTYZBNMG

MSCGLQ100X065CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-NHPD

Microchip Technology

8,863 -
MSCGLQ100X065CTYZBNMG

数据表

- Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 150 A 400 W 2.3V @ 15V, 100A 50 µA 490 pF @ 25 V 650 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ50X120CTYZBNMG

MSCGLQ50X120CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-6HPD

Microchip Technology

7,755 -
MSCGLQ50X120CTYZBNMG

数据表

- Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 90 A 330 W 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2770 pF @ 25 V 1200 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ50X065CTYZBNMG

MSCGLQ50X065CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-6HPD

Microchip Technology

8,835 -
MSCGLQ50X065CTYZBNMG

数据表

- Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 70 A 210 W 2.3V @ 15V, 50A 50 µA 3100 pF @ 25 V 650 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCSM120XM31RTBL3NG

MSCSM120XM31RTBL3NG

PM-MOSFET-SIC-BL3

Microchip Technology

2,913 -
MSCSM120XM31RTBL3NG

数据表

- Module Bulk Active - Three Phase 79 A 310 W - - 3020 pF @ 1 kV 1200 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
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