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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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FZ3600R12KE3NOSA1

FZ3600R12KE3NOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

6 -
FZ3600R12KE3NOSA1

数据表

- Module Bulk Active - Single Switch 4700 A 15000 W 2.15V @ 15V, 3.6kA 5 mA 260 nF @ 25 V 1200 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-IHM190-2-1
FZ3600R17KE3

FZ3600R17KE3

IGBT MODULE

Infineon Technologies

2 -
FZ3600R17KE3

数据表

- Module Bulk Active - Single Switch - 350 W 2.45V @ 3.6kA, 15V 5 mA 3.3 nF @ 25 V 1700 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-IHM190-2-1
FZ1500R33HL3BPSA3

FZ1500R33HL3BPSA3

FZ1500R33 - INSULATED GATE BIPOL

Infineon Technologies

24 -
FZ1500R33HL3BPSA3

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FD16001200R17KF6CB2NOSA1

FD16001200R17KF6CB2NOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

22 -
FD16001200R17KF6CB2NOSA1

数据表

- Module Bulk Active - Single Switch 2600 A - 3.1V @ 15V, 1.6kA 5 mA 105 nF @ 25 V 1700 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-ECONO2B
FD250R65KE3KNOSA1

FD250R65KE3KNOSA1

IGBT MOD 6500V 250A 4800W

Infineon Technologies

5,076 -
FD250R65KE3KNOSA1

数据表

- Module Bulk Active - Single 250 A 4800 W 3.4V @ 15V, 250A 5 mA 69 nF @ 25 V 6500 V Standard No -50°C ~ 125°C Chassis Mount Module
FZ1400R33HE4BPSA1

FZ1400R33HE4BPSA1

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

Infineon Technologies

9,839 -
FZ1400R33HE4BPSA1

数据表

- Module Bulk Active Trench Field Stop 2 Independent 1400 A - 2.3V @ 15V, 1400A (Typ) 5 mA 187 nF @ 25 V 3300 V Single Phase Bridge Rectifier No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Module
FD200R65KF2-K

FD200R65KF2-K

IGBT MODULE

Infineon Technologies

22 -
FD200R65KF2-K

数据表

- Module Bulk Active - Single Chopper 200 A 380000 W 4.9V @ 15V, 200A 200 µA 28 nF @ 25 V 3600 V Standard No 125°C (TJ) Chassis Mount -
IFF2400P17AE4BPSA1

IFF2400P17AE4BPSA1

IGBT MODULE 1700V IPM MIPAQP-4

Infineon Technologies

7,968 -
IFF2400P17AE4BPSA1

数据表

- Module Bulk Obsolete - Half Bridge - - - - - 1700 V - No -40°C ~ 65°C (TA) - Module
FP10R12W1T7B11BOMA1

FP10R12W1T7B11BOMA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

24 -
FP10R12W1T7B11BOMA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

58 -
FP30R06W1E3B11BOMA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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