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IGBT 模块
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | IGBT 类型 | 配置 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 功率 - 最大值 | 导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic | 电流 - 集电极截止（最大值） | 输入电容 (Cies) @ Vce | 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） | 输入 | NTC 热敏电阻 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备封装 |
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BSM50GD120DN2B10BOSA1IGBT MODULE Infineon Technologies |
6,123 | - |
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数据表 |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FS300R17OE4B61BPSA1FS300R17OE4 - IGBT Module Infineon Technologies |
1 | - |
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数据表 |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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FZ2400R12HE4B9NPSA1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Infineon Technologies |
1 | - |
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数据表 |
- | Module | Bulk | Active | Trench Field Stop | Single Switch | 3560 A | 13500 W | 2.1V @ 15V, 2.4kA | 5 mA | 150 nF @ 25 V | 1200 V | Standard | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | - |
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FZ2400R17HE4B9NPSA1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Infineon Technologies |
1 | - |
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数据表 |
- | Module | Bulk | Active | - | Single Switch | 2400 A | 15500 W | 2.3V @ 15V, 2.4kA | 5 mA | 195 nF @ 25 V | 1700 V | Standard | No | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | - |
