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IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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BSM200GB170DLCE3256HDLA1

BSM200GB170DLCE3256HDLA1

IGBT MODULE 1700V 400A 1660W

Infineon Technologies

40 -
BSM200GB170DLCE3256HDLA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FS150R12KT4PB51BPSA1

FS150R12KT4PB51BPSA1

FS150R12 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

36 -
FS150R12KT4PB51BPSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
DF300R07PE4B6BOSA1

DF300R07PE4B6BOSA1

DFXR07P - IGBT MODULE

Infineon Technologies

161 -
DF300R07PE4B6BOSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FS200R12KT4RPB51BPSA1

FS200R12KT4RPB51BPSA1

FS200R12 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

71 -
FS200R12KT4RPB51BPSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BSM100GB120DLCHOSA1

BSM100GB120DLCHOSA1

BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP

Infineon Technologies

414 -
BSM100GB120DLCHOSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BSM100GB120DN2HOSA1

BSM100GB120DN2HOSA1

MEDIUM POWER 62MM

Infineon Technologies

2,926 -
BSM100GB120DN2HOSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FF650R17IE4PBOSA1

FF650R17IE4PBOSA1

FF650R17 - INSULATED GATE BIPOLA

Infineon Technologies

105 -
FF650R17IE4PBOSA1

数据表

PrimePACK™2 Module Bulk Active Trench Field Stop Half Bridge Inverter 650 A - - 5 mA 54000 pF @ 25 V 1700 V Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
FS500R17OE4DB61BPSA1

FS500R17OE4DB61BPSA1

FS500R17OE4 - IGBT Module

Infineon Technologies

240 -
FS500R17OE4DB61BPSA1

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4D_B2 - 1700 V, 1000

Infineon Technologies

324 -
DF1000R17IE4DB2BOSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FF1500R12IE5BPSA1

FF1500R12IE5BPSA1

PP, IHM I, XHP 1,7KV

Infineon Technologies

894 -
FF1500R12IE5BPSA1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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