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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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NE5550779A-A

NE5550779A-A

RF MOSFET LDMOS 7.5V 79A

CEL

7,241 -
NE5550779A-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Strip Obsolete LDMOS - 22dB 7.5 V 2.1A - 140 mA 900MHz 38.5dBm 30 V - 79A - -
NE5550279A-A

NE5550279A-A

RF MOSFET LDMOS 7.5V 79A

CEL

3,282 -
NE5550279A-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete LDMOS - 22.5dB 7.5 V 600mA - 40 mA 900MHz 33dBm 30 V - 79A - -
NE3516S02-A

NE3516S02-A

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02

CEL

8,689 -
NE3516S02-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete GaAs HJ-FET N-Channel 14dB 2 V 60mA 0.35dB 10 mA 12GHz 165mW 4 V - S02 - -
NE5550234-AZ

NE5550234-AZ

RF MOSFET 7.5V 3MINIMOLD

CEL

7,598 -
NE5550234-AZ

数据表

- TO-243AA Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 23.5dB 7.5 V 600mA - 40 mA 900MHz 32.2dB 30 V - 3-PowerMiniMold - -
NE3521M04-A

NE3521M04-A

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V

CEL

2,682 -
NE3521M04-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Strip Obsolete GaAs HJ-FET N-Channel 10.5dB 2 V 15mA 0.85dB 6 mA 20GHz - 3 V - - - -
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V

CEL

8,213 -
NE3521M04-T2-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete GaAs HJ-FET N-Channel 11dB 2 V 70mA 0.85dB 6 mA 20GHz - 4 V - - - -
NE552R679A-A

NE552R679A-A

RF MOSFET LDMOS 3V 79A

CEL

7,202 -
NE552R679A-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete LDMOS - 20dB 3 V 350mA - 300 mA 460MHz 28dbm 3 V - 79A - -
NE3210S01

NE3210S01

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD

CEL

4,762 -
NE3210S01

数据表

- 4-SMD Strip Obsolete GaAs HJ-FET - 13.5dB 2 V 15mA 0.35dB 10 mA 12GHz - 4 V - SMD - -
NE4210S01

NE4210S01

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD

CEL

3,233 -
NE4210S01

数据表

- 4-SMD Strip Obsolete GaAs HJ-FET - 13dB 2 V 15mA 0.5dB 10 mA 12GHz - 4 V - SMD - -
NE3210S01-T1B

NE3210S01-T1B

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD

CEL

7,879 -
NE3210S01-T1B

数据表

- 4-SMD Tape & Reel (TR) Obsolete GaAs HJ-FET - 13.5dB 2 V 15mA 0.35dB 10 mA 12GHz - 4 V - SMD - -
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