CEL|单个场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 2

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	增益	电压 - 测试	电流额定值（安培）	噪声系数	电流 - 测试	频率	功率 - 输出	额定电压	等级	供应商设备封装	认证	安装类型
NE25139-T1 RF MOSFET 5V SOT143 CEL	8,142	-	询价单	数据表	-	TO-253-4, TO-253AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	MOSFET (Metal Oxide)	Dual Gate	20dB	5 V	40mA	1.1dB	10 mA	900MHz	-	13 V	-	SOT-143	-	-
NE25139-T1-U73 RF MOSFET 5V SOT143 CEL	4,049	-	询价单	数据表	-	TO-253-4, TO-253AA	Tape & Reel (TR)	Obsolete	MOSFET (Metal Oxide)	Dual Gate	20dB	5 V	40mA	1.1dB	10 mA	900MHz	-	13 V	-	SOT-143	-	-
CE3514M4 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD CEL	8,541	-	询价单	数据表	-	4-SMD, Flat Leads	Strip	Active	pHEMT FET	-	12.2dB	2 V	15mA	0.62dB	10 mA	12GHz	125mW	4 V	-	4-Super Mini Mold	-	-
NE3515S02-T1C-A RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 CEL	4,696	-	询价单	数据表	-	4-SMD, Flat Leads	Tape & Reel (TR)	Obsolete	GaAs HJ-FET	-	12.5dB	2 V	88mA	0.3dB	10 mA	12GHz	14dBm	4 V	-	S02	-	-
CE3521M4 RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD CEL	7,527	-	询价单	数据表	-	SC-82A, SOT-343	Strip	Active	pHEMT FET	-	11.9dB	2 V	15mA	1.05dB	10 mA	20GHz	125mW	4 V	-	4-Super Mini Mold	-	-
NE3512S02-T1C-A RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 CEL	5,090	-	询价单	数据表	-	4-SMD, Flat Leads	Tape & Reel (TR)	Obsolete	GaAs HJ-FET	-	13.5dB	2 V	70mA	0.35dB	10 mA	12GHz	-	4 V	-	S02	-	-
NE3509M04-T2-A RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04 CEL	4,812	-	询价单	数据表	-	SOT-343F	Tape & Reel (TR)	Obsolete	GaAs HJ-FET	-	17.5dB	2 V	60mA	0.4dB	10 mA	2GHz	11dBm	4 V	-	M04	-	-
NE3511S02-T1C-A RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 CEL	4,598	-	询价单	数据表	-	4-SMD, Flat Leads	Tape & Reel (TR)	Obsolete	GaAs HJ-FET	-	13.5dB	2 V	70mA	0.3dB	10 mA	12GHz	-	4 V	-	S02	-	-
NE552R679A-T1A-A RF MOSFET LDMOS 3V 79A CEL	4,582	-	询价单	数据表	-	4-SMD, Flat Leads	Tape & Reel (TR)	Obsolete	LDMOS	-	20dB	3 V	350mA	-	300 mA	460MHz	28dbm	3 V	-	79A	-	-
NE34018-T1 RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SOT343 CEL	5,018	-	询价单	数据表	-	SC-82A, SOT-343	Tape & Reel (TR)	Obsolete	GaAs HJ-FET	-	16dB	2 V	120mA	0.6dB	5 mA	2GHz	12dBm	4 V	-	SOT-343	-	Surface Mount

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