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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1

RF MOSFET LDMOS 28V TO270-15

NXP USA Inc.

4,987 -
A2I08H040GNR1

数据表

- TO-270-15 Variant, Gull Wing Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 30.7dB 28 V - - 25 mA 920MHz 9W 65 V - TO-270WBG-15 - Surface Mount
NE651R479A-T1-A

NE651R479A-T1-A

RF MOSFET HFET 3.5V 79A

Renesas Electronics Corporation

4,840 -
NE651R479A-T1-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 12dB 3.5 V 1A - 50 mA 1.9GHz 27dBm 8 V - 79A - -
PD84006L-E

PD84006L-E

RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT

STMicroelectronics

2,348 -
PD84006L-E

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 15dB 7.5 V 5A - 150 mA 870MHz 2W 25 V - PowerFLAT™ (5x5) - -
BLP8G27-10Z

BLP8G27-10Z

RF MOSFET LDMOS 28V 16HVSON

Ampleon USA Inc.

3,765 -
BLP8G27-10Z

数据表

- 16-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual, Common Source 17dB 28 V - - 110 mA 2.14GHz 2W 65 V - 16-HVSON (6x4) - Surface Mount
MRFG35002N6T1

MRFG35002N6T1

RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5

Freescale Semiconductor

2,300 -
MRFG35002N6T1

数据表

- PLD-1.5 Bulk Active pHEMT FET - 10dB 6 V - - 65 mA 3.55GHz 1.5W 8 V - PLD-1.5 - -
SAC2504

SAC2504

RF MOSFET 2V DIE

SuperApex, LLC

135 -
SAC2504

数据表

- Die Tape & Box (TB) Active - - 6dB 2 V 85mA 1.4dB 20 mA 40GHz - - - Die - Surface Mount
MRFG35003N6T1

MRFG35003N6T1

RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5

Freescale Semiconductor

3,984 -
MRFG35003N6T1

数据表

- PLD-1.5 Bulk Active pHEMT FET - 9dB 6 V - - 180 mA 3.55GHz 3W 8 V - PLD-1.5 - -
MRFG35003ANT1

MRFG35003ANT1

RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5

Freescale Semiconductor

285 -
MRFG35003ANT1

数据表

- PLD-1.5 Bulk Active pHEMT FET - 10.8dB 12 V - - 55 mA 3.55GHz 3W 15 V - PLD-1.5 - -
MHT1008NT1

MHT1008NT1

RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W

Freescale Semiconductor

414 -
MHT1008NT1

数据表

- PLD-1.5W Bulk Active LDMOS N-Channel 20.9dB 28 V 10µA - 110 mA 2.45GHz 12.5W 65 V - PLD-1.5W - Surface Mount
3N206

3N206

RF MOSFET TO72

Harris Corporation

612 -
3N206

数据表

- TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate - - - - - - - - - TO-72 - Through Hole
BCL015-70

BCL015-70

RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX

BeRex Inc

1,435 -
BCL015-70

数据表

- 4-Micro-X Tape & Reel (TR) Active pHEMT FET - 11.5dB 2 V 40µA 0.46dB 10 mA 1GHz ~ 26GHz 14dBm 5 V - 4-Micro-X - -
MHT1803A

MHT1803A

RF MOSFET TO247

NXP USA Inc.

9,865 -
MHT1803A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MHT1803B

MHT1803B

RF MOSFET TO247

NXP USA Inc.

4,033 -
MHT1803B

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
BCP020C

BCP020C

RF MOSFET PHEMT FET 8V DIE

BeRex Inc

2,745 -
BCP020C

数据表

- Die Tray Active pHEMT FET - 14dB 8 V 80mA 1.05dB 30 mA 6GHz ~ 18GHz 22dBm 12 V - Die - -
MRFG35003NT1

MRFG35003NT1

RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5

Freescale Semiconductor

3,000 -
MRFG35003NT1

数据表

- PLD-1.5 Bulk Active pHEMT FET - 11.5dB 12 V 1.3A - 55 mA 1.8GHz ~ 3.6GHz 3W 15 V - PLD-1.5 - Surface Mount
MRFG35003NR5

MRFG35003NR5

RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5

Freescale Semiconductor

900 -
MRFG35003NR5

数据表

- PLD-1.5 Bulk Active pHEMT FET - 11.5dB 12 V - - 55 mA 3.55GHz 3W 15 V - PLD-1.5 - -
MHT1008NT1

MHT1008NT1

RF MOSFET LDMOS PLD-1.5W

NXP USA Inc.

4,569 -
MHT1008NT1

数据表

- PLD-1.5W Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 18.6dB - - - - 2.4GHz ~ 2.5GHz 12.5W 28 V - PLD-1.5W - Surface Mount
BLP35M805Z

BLP35M805Z

RF MOSFET LDMOS 28V 16HVSON

Ampleon USA Inc.

8,748 -
BLP35M805Z

数据表

- 16-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 18dB 28 V - - 55 mA 2.14GHz 750mW 65 V - 16-HVSON (6x4) - Surface Mount
BLP10H603AZ

BLP10H603AZ

RF MOSFET LDMOS 50V 12HVSON

Ampleon USA Inc.

4,034 -
BLP10H603AZ

数据表

- 12-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 22.8dB 50 V - - 15 mA 860MHz 2.5W 104 V - 12-HVSON (6x4) - Surface Mount
BCP040C

BCP040C

RF MOSFET PHEMT FET 8V DIE

BeRex Inc

2,000 -
BCP040C

数据表

- Die Tray Active pHEMT FET - 13.5dB 8 V 150mA 1.05dB 60 mA 6GHz ~ 18GHz 25.5dBm 12 V - Die - -
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