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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD

Renesas Electronics Corporation

4,755,000 -
NE3513M04-T2B-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete GaAs HJ-FET N-Channel 13dB 2 V 60mA 0.65dB 10 mA 12GHz 125mW 4 V - 4-Super Mini Mold - -
STB60N06HDT4

STB60N06HDT4

RF MOSFET 60V D2PAK

onsemi

12,000 -
STB60N06HDT4

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
SFT1307-TL-E

SFT1307-TL-E

RF MOSFET 4V

onsemi

18,200 -
SFT1307-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
BF1102,115

BF1102,115

RF MOSFET 5V 6TSSOP

NXP USA Inc.

4,345 -
BF1102,115

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate - 5 V 40mA 2dB 15 mA 800MHz - 7 V - 6-TSSOP - Surface Mount
BF1204,115

BF1204,115

RF MOSFET 5V 6TSSOP

NXP USA Inc.

3,071 -
BF1204,115

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate 30dB 5 V 30mA 0.9dB 12 mA 400MHz - 10 V - 6-TSSOP - Surface Mount
NE3517S03-T1D-A

NE3517S03-T1D-A

RF MOSFET HFET 2V S03

Renesas Electronics Corporation

117,560 -
NE3517S03-T1D-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 13.5dB 2 V 70mA 0.7dB 10 mA 20GHz - 4 V - S03 - -
2SK1645V-03-TR-E

2SK1645V-03-TR-E

RF MOSFET MESFET 6V

onsemi

2,798 -
2SK1645V-03-TR-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
STB4N80ET4

STB4N80ET4

RF MOSFET 800V D2PAK

onsemi

38,400 -
STB4N80ET4

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
SK3065

SK3065

RF MOSFET TO72

Harris Corporation

295 -
SK3065

数据表

- TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - - - - - - - - - TO-72 - Through Hole
JDX5004

JDX5004

RF MOSFET TO220FP

onsemi

2,332 -
JDX5004

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
3SK255-T2-A

3SK255-T2-A

RF MOSFET

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
3SK255-T2-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
NE5510279A-T1-A

NE5510279A-T1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,961 -
NE5510279A-T1-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Active LDMOS - 16dB 4.8 V 100nA - 300 mA 1.8GHz 2W 20 V - 79A - Surface Mount
94-2402

94-2402

RF MOSFET 400V

International Rectifier

150 -
94-2402

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MMRF1012NR1

MMRF1012NR1

RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2

NXP USA Inc.

8,320 -
MMRF1012NR1

数据表

- TO-270-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 23.9dB 50 V - - 30 mA 220MHz 10W 120 V - TO-270-2 - Surface Mount
CE3521M4-C2

CE3521M4-C2

RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD

CEL

1,557 -
CE3521M4-C2

数据表

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Active pHEMT FET - 11.9dB 2 V 15mA 1.05dB 10 mA 20GHz 125mW 4 V - 4-Super Mini Mold - -
2SK3391JX

2SK3391JX

RF MOSFET 13.7V UPAK

Renesas Electronics Corporation

134,038 -
2SK3391JX

数据表

- TO-243AA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 13.7 V 10µA - 150 mA 100MHz ~ 2.5GHz 1.6W 17 V - UPAK - Surface Mount
NE5550779A-T1A-A

NE5550779A-T1A-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

20,035 -
NE5550779A-T1A-A

数据表

- 4-SMD, Flat Leads Bulk Active LDMOS - 22dB 9 V 2.1A - 140 mA 900MHz 38.5dBm 30 V - 79A - Surface Mount
NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

RF MOSFET LDMOS 28V 16HTSSOP

Renesas Electronics Corporation

30,892 -
NE55410GR-T3-AZ

数据表

- 16-DFF, Exposed Pad Bulk Obsolete LDMOS - 13.5dB 28 V 250mA, 1A - 20 mA 2.14GHz 35.4dBm 65 V - 16-HTSSOP - -
IRFAE32

IRFAE32

RF MOSFET

International Rectifier

523 -
IRFAE32

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
A2T27S007NT1

A2T27S007NT1

RF MOSFET LDMOS 16DFN

NXP USA Inc.

6,389 -
A2T27S007NT1

数据表

- 16-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - - - - - - 728MHz ~ 3.6GHz 28.8dBm 28 V - 16-DFN (4x6) - Surface Mount
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