富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
T1G4020036-FS

T1G4020036-FS

DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN

Qorvo

5,452 -
T1G4020036-FS

数据表

- NI-650 Tray Active HEMT N-Channel 18.1dB 55 V - - 520 mA 3.5GHz 200W 145 V - NI-650 - Surface Mount
T1G4020036-FL

T1G4020036-FL

DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN

Qorvo

9,821 -
T1G4020036-FL

数据表

- NI-650 Tray Active HEMT N-Channel 18.1dB - 24A - - 3.5GHz 400W 50 V - NI-650 - Chassis Mount
QPD1028

QPD1028

750W, 65V, PRE-MATCHED, 1.2-1.4G

Qorvo

2,647 -
QPD1028

数据表

- NI-780 Tray Active GaN HEMT - 19.8dB 65 V 71A - 750 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 750W 65 V - NI-780 - Surface Mount
QPD1028L

QPD1028L

750W, 65V, PRE-MATCHED, 1.2-1.4G

Qorvo

7,676 -
QPD1028L

数据表

- NI-780 Tray Active GaN P-Channel 19dB 65 V - - 750 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 750W 65 V - NI-780 - Chassis Mount
QPD1025

QPD1025

.96-1.215GHZ 1800W,65V,GAN RF IN

Qorvo

4,439 -
QPD1025

数据表

- NI-1230 Tray Active HEMT N-Channel 19dB 65 V - - 1.5 A - 1862W 70 V - NI-1230 - Surface Mount
QPD1029L

QPD1029L

1.2-1.4GHZ,1500W,65V,GAN RF I/P-

Qorvo

5,170 -
QPD1029L

数据表

- NI-1230 Tray Active GaN 2 N-Channel 21.3dB 65 V - - 750 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 1500W 225 V - NI-1230 - Chassis Mount
QPD1026L

QPD1026L

1500W, 65V,GAN PRE-MATCHED, 442(

Qorvo

2,534 -
QPD1026L

数据表

- NI-1230 Tray Active GaN 2 N-Channel 25.9dB 65 V - - 750 mA 420MHz ~ 450MHz 1300W 225 V - NI-1230 - Chassis Mount
QPD1025L

QPD1025L

1800W, 65V, PRE-MATCHED, 1.0-1.1

Qorvo

3,161 -
QPD1025L

数据表

- NI-1230 Tray Active GaN 2 N-Channel 22.5dB 70 V - - 1.5 A 960MHz ~ 1.215GHz 1800W 225 V - NI-1230 - Surface Mount
共 58 条记录«上一页123456下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户