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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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TGF3021-SM

TGF3021-SM

0.03-4.0 GHZ, 30W, 32V GAN RF TR

Qorvo

6,382 -
TGF3021-SM

数据表

- 20-VFQFN Exposed Pad Tray Active HEMT N-Channel 19.3dB 32 V - - 65 mA 30MHz ~ 4GHz 30W 100 V - 20-QFN (3x4) - Surface Mount
QPD1015

QPD1015

DC-3.7 GHZ, 65W, 50V GAN RF PWR

Qorvo

4,288 -
QPD1015

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tray Active HEMT P-Channel 20dB 50 V - - 65 mA 3.7GHz 65W 145 V - 2L-FLG - Surface Mount
QPD1015L

QPD1015L

DC-3.7 GHZ, 65W, 50V GAN RF PWR

Qorvo

7,247 -
QPD1015L

数据表

- NI-360 Tray Active HEMT N-Channel 20dB - 10.2A - - 3.7GHz 65W 50 V - NI-360 - Chassis Mount
TGF2023-2-20

TGF2023-2-20

DC-14GHZ,100W DISCRETE PWR GAN/S

Qorvo

3,424 -
TGF2023-2-20

数据表

- Die Tray Active HEMT N-Channel 10.6dB 28 V - - 1 A 18GHz 100W 100 V - Chip - Surface Mount
QPD1008

QPD1008

DC-3.2 GHZ, 125W, 50V GAN RF PWR

Qorvo

5,954 -
QPD1008

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tray Active GaN N-Channel 17.5dB - 20.4A - - 3.2GHz 125W 50 V - 2L-FLG - Surface Mount
T2G4005528-FS

T2G4005528-FS

DC-3.5 GHZ, 55W, 28V GAN RF PWR

Qorvo

4,377 -
T2G4005528-FS

数据表

- 2L-FLG Tray Active GaN N-Channel 16dB - 20A - - 3.5GHz 55W 28 V - 2L-FLG - Surface Mount
TGF2819-FL

TGF2819-FL

DC-4.0GHZ,200W,50V,GAN RF PWR TR

Qorvo

3,266 -
TGF2819-FL

数据表

- NI-360 Tray Active HEMT N-Channel 18dB 55 V - - 250 mA 4GHz 50W 145 V - NI-360 - Chassis Mount
QPD1016L

QPD1016L

DC-1.7 GHZ, 500W, 50V, GAN RF TR

Qorvo

7,414 -
QPD1016L

数据表

- NI-780 Tray Active GaN HEMT - 21.7dB 50 V 70A - 1 A 1.7GHz 500W 50 V - NI-780 - Chassis Mount
QPD1016

QPD1016

DC-1.7 GHZ, 500W, 50V, GAN RF TR

Qorvo

6,828 -
QPD1016

数据表

- NI-780 Tray Active HEMT P-Channel 23.9dB 55 V - - 1 A 1.7GHz 500W 145 V - NI-780 - Surface Mount
QPD1006

QPD1006

450W, 50V, 1.2-1.4GHZ, GAN IMFET

Qorvo

2,480 -
QPD1006

数据表

- 2L-FLG Tray Active HEMT N-Channel 17.5dB 45 V - - 750 mA 1.4GHz 450W 145 V - 2L-FLG - Chassis Mount
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