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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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AFT26H250-24SR6

AFT26H250-24SR6

RF MOSFET LDMOS 28V NI1230

NXP USA Inc.

600 -
AFT26H250-24SR6

数据表

- NI-1230-4LS2L Bulk Active LDMOS (Dual) 2 N-Channel 14.1dB 28 V - - 700 mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 53dBm 65 V - NI-1230-4LS2L - Chassis Mount
AFT09S282NR3

AFT09S282NR3

RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2

NXP USA Inc.

9,287 -
AFT09S282NR3

数据表

- OM-780-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 20dB 28 V - - 1.4 A 960MHz 80W 70 V - OM-780-2 - Surface Mount
AFT26P100-4WSR3-NXP

AFT26P100-4WSR3-NXP

RF MOSFET

NXP USA Inc.

140 -
AFT26P100-4WSR3-NXP

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
AFT18S230SR5

AFT18S230SR5

RF MOSFET LDMOS 28V NI780

NXP USA Inc.

10 -
AFT18S230SR5

数据表

- NI-780S-6 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 19dB 28 V - - 1.8 A 1.88GHz 50W 65 V - NI-780S-6 - Surface Mount
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

RF MOSFET GAN 48V NI400

NXP USA Inc.

172 -
A2G35S160-01SR3

数据表

- NI-400S-2S Tape & Reel (TR) Obsolete GaN - 15.7dB 48 V - - 190 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 51dBm 125 V - NI-400S-2S - Surface Mount
AFT23S170-13SR3

AFT23S170-13SR3

RF MOSFET LDMOS 28V NI780

NXP USA Inc.

4,168 -
AFT23S170-13SR3

数据表

- NI-780S-6 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 18.8dB 28 V - - 1.1 A 2.4GHz 45W 65 V - NI-780S-6 - Surface Mount
A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6

RF MOSFET LDMOS 28V NI1230

NXP USA Inc.

6,978 -
A2T20H330W24SR6

数据表

- NI-1230-4LS2L Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual 16.5dB 28 V - - 700 mA 1.88GHz 58W 65 V - NI-1230-4LS2L - Chassis Mount
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400

NXP USA Inc.

77 -
A2G35S200-01SR3

数据表

- NI-400S-2S Tape & Reel (TR) Obsolete GaN HEMT - 16.1dB 48 V - - 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 180W 125 V - NI-400S-2S - Surface Mount
MRFE6VP5600HSR5

MRFE6VP5600HSR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

NXP USA Inc.

1,199 -
MRFE6VP5600HSR5

数据表

- NI-1230-4S Bulk Active LDMOS (Dual) 2 N-Channel 25dB 50 V - - 100 mA 1.8MHz ~ 600MHz 600W 130 V - NI-1230-4S - Chassis Mount
BLF878,112

BLF878,112

TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A

NXP USA Inc.

1,021 -
BLF878,112

数据表

- SOT-979A Bulk Active LDMOS Dual, Common Source 21dB 40 V - - 1.4 A 860MHz 300W 89 V - CDFM2 - Chassis Mount
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