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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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BLS9G2934LS-400

BLS9G2934LS-400

RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B

Ampleon USA Inc.

6,500 -
BLS9G2934LS-400

数据表

- SOT-502B Tray Active LDMOS - 11dB 32 V 4µA - 400 mA 2.9GHz ~ 3.4GHz 400W 65 V - SOT502B - Chassis Mount
BLC9G20LS-160PV

BLC9G20LS-160PV

RF MOSFET LDMOS 28V DFM6

Ampleon USA Inc.

4,477 -
BLC9G20LS-160PV

数据表

- SOT-1275-1 Tray Active LDMOS Dual, Common Source 19.8dB 28 V 1.4µA - 860 mA 1.805GHz ~ 2GHz 160W 65 V - DFM6 - Chassis Mount
BLC8G27LS-60AVH

BLC8G27LS-60AVH

RF MOSFET LDMOS 28V DFM6

Ampleon USA Inc.

8,884 -
BLC8G27LS-60AVH

数据表

- SOT-1275-1 Bulk Obsolete LDMOS Dual, Common Source 15dB 28 V 1.2µA - 240 mA 2.3GHz ~ 2.69GHz 60W 65 V - DFM6 - Chassis Mount
MRFX1K80H-230MHZ

MRFX1K80H-230MHZ

RF MOSFET LDMOS 65V NI1230

NXP Semiconductors

4,991 -
MRFX1K80H-230MHZ

数据表

- SOT-979A Bulk Obsolete LDMOS Dual 25.1dB 65 V 100mA - 1.5 A 1.8MHz ~ 400MHz 1800W 179 V - NI-1230-4H - Chassis Mount
MRF6VP3450HR5

MRF6VP3450HR5

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

NXP Semiconductors

4,303 -
MRF6VP3450HR5

数据表

- NI-1230 Bulk Obsolete LDMOS Dual, Common Source 22.5dB 50 V 10µA - 1.4 A 470MHz ~ 860MHz 450W 110 V - NI-1230 - Chassis Mount
AFT27S010NT1

AFT27S010NT1

RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W

NXP Semiconductors

4,542 -
AFT27S010NT1

数据表

- PLD-1.5W Bulk Obsolete LDMOS - 21.7dB 28 V 10µA - 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 1.26W 65 V - PLD-1.5W - Surface Mount
CLF1G0060-10

CLF1G0060-10

RF MOSFET HEMT 50V CDFM2

Rochester Electronics, LLC

7,801 -
CLF1G0060-10

数据表

- SOT-1227A Bulk Obsolete HEMT - 16dB 50 V - - 150 mA 6GHz 10W 150 V - CDFM2 - -
BLF278

BLF278

RF MOSFET 50V CDFM4

Rochester Electronics, LLC

7,378 -
BLF278

数据表

- SOT-262A1 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source 18dB 50 V 2.5mA - 200 mA - 300W 125 V - CDFM4 - -
MDSGN-750ELMV

MDSGN-750ELMV

RF MOSFET HEMT 50V 55-KR

Microchip Technology

3,491 -
MDSGN-750ELMV

数据表

- 55-KR Bulk Last Time Buy HEMT - 19.1dB 50 V - - 100 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 800W 150 V - 55-KR - Surface Mount
0912GN-100LV

0912GN-100LV

RF MOSFET HEMT 50V 55-KR

Microchip Technology

9,319 -
0912GN-100LV

数据表

LV 55-KR Bulk Active HEMT - 17.5dB 50 V - - 70 mA 960MHz ~ 1.215GHz 110W 150 V - 55-KR - Surface Mount
1011GN-1200VEL

1011GN-1200VEL

RF MOSFET HEMT 50V 55-Q03P

Microchip Technology

2,124 -
1011GN-1200VEL

数据表

V 55-Q03P Bulk Active HEMT - 20dB 50 V - - 150 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 1200W 150 V - 55-Q03P - Surface Mount
1011GN-1600VG

1011GN-1600VG

RF MOSFET HEMT 50V 55-Q11A

Microchip Technology

4,661 -
1011GN-1600VG

数据表

VG 55-Q11A Bulk Active HEMT - 18.6dB 50 V - - 200 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 1600W 150 V - 55-Q11A - Surface Mount
1011GN-1200V

1011GN-1200V

RF MOSFET HEMT 50V 55-Q03

Microchip Technology

6,937 -
1011GN-1200V

数据表

V 55-Q03 Bulk Active HEMT - 20dB 50 V - - 150 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 1200W 150 V - 55-Q03 - Surface Mount
2729GN-270V

2729GN-270V

RF MOSFET HEMT 50V 55-QP

Microchip Technology

2,700 -
2729GN-270V

数据表

V 55-QP Bulk Active HEMT - 15.6dB 50 V - - 60 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 290W 125 V - 55-QP - Surface Mount
1011GN-125EL

1011GN-125EL

RF MOSFET HEMT 50V 55-QQP

Microchip Technology

6,689 -
1011GN-125EL

数据表

EL 55-QQP Bulk Active HEMT - 18.75dB 50 V - - 60 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 150W 125 V - 55-QQP - Surface Mount
1214GN-700V

1214GN-700V

RF MOSFET HEMT 50V 55-Q03

Microchip Technology

7,347 -
1214GN-700V

数据表

- 55-Q03 Bulk Active HEMT - 16.5dB 50 V - - 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 750W 150 V - 55-Q03 - Surface Mount
1214GN-50EQP-TS

1214GN-50EQP-TS

RF MOSFET GAN 50V

Microchip Technology

6,669 -
1214GN-50EQP-TS

数据表

E - Bulk Active GaN - 15.9dB 50 V - - 20 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 58W 150 V - - - -
1012GN-800V

1012GN-800V

RF MOSFET GAN 54V 55-KR

Microchip Technology

9,305 -
1012GN-800V

数据表

V 55-KR Bulk Active GaN - 19.3dB 54 V - - 120 mA 1.025GHz ~ 1.15GHz 825W 150 V - 55-KR - Surface Mount
1214GN-600VHE

1214GN-600VHE

RF MOSFET HEMT 50V 55-KR

Microchip Technology

8,517 -
1214GN-600VHE

数据表

- 55-KR Bulk Active HEMT - 17.5dB 50 V - - 100 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 600W 150 V - 55-KR - Surface Mount
1011GN-30EP

1011GN-30EP

RF MOSFET GAN 50V

Microchip Technology

4,671 -
1011GN-30EP

数据表

EP Module Bulk Active GaN - 18.5dB 50 V - - 40 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 35W 150 V - - - -
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