Microchip Technology|单个场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 3

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	增益	电压 - 测试	电流额定值（安培）	噪声系数	电流 - 测试	频率	功率 - 输出	额定电压	等级	供应商设备封装	认证	安装类型
ARF476FL RF MOSFET 150V Microchip Technology	8	-	询价单	数据表	-	-	Tray	Active	MOSFET (Metal Oxide)	2 N-Channel (Dual) Common Source	16dB	150 V	10A	-	15 mA	128MHz	900W	500 V	-	-	-	-
1214GN-180LV RF MOSFET HEMT 50V 55-KR Microchip Technology	10	-	询价单	数据表	-	55-KR	Bulk	Active	HEMT	-	17dB	50 V	-	-	60 mA	1.2GHz ~ 1.4GHz	180W	150 V	-	55-KR	-	Surface Mount
ICPB1010-1-110I DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT Microchip Technology	10	-	询价单	数据表	-	Die	Box	Active	GaN HEMT	-	6.1dB	28 V	4A	-	500 mA	14GHz	50W	28 V	-	Die	-	Surface Mount
VRF154FLMP RF MOSFET 50V 4SMD Microchip Technology	10	-	询价单	数据表	-	4-SMD	Tube	Active	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	17dB	50 V	4mA	-	800 mA	80MHz	600W	170 V	-	-	-	-
VRF152GMP RF MOSFET VDMOS 140V Microchip Technology	10	-	询价单	数据表	-	-	Bulk	Active	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
VRF151 RF MOSFET 50V M174 Microchip Technology	8,546	-	询价单	数据表	-	M174	Tray	Active	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	14dB	50 V	1mA	-	250 mA	175MHz	150W	170 V	-	M174	-	-
ARF1501 RF MOSFET 250V T-1 Microchip Technology	1	-	询价单	数据表	-	T-1	Bulk	Active	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	17dB	250 V	30A	-	-	27.12MHz	750W	1000 V	-	T-1	-	-
ICPB1005-1-110I DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT Microchip Technology	8,447	-	询价单	数据表	-	Die	Box	Active	GaN HEMT	-	6.4dB	28 V	2A	-	250 mA	14GHz	25W	28 V	-	Die	-	Surface Mount
ICPB1020-1-110I DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT Microchip Technology	5,178	-	询价单	数据表	-	Die	Box	Active	GaN HEMT	-	7.4dB	28 V	8A	-	1 A	14GHz	100W	28 V	-	Die	-	Surface Mount
VRF154FL RF MOSFET 50V T2 Microchip Technology	7,661	-	询价单	数据表	-	T2	Tube	Active	MOSFET (Metal Oxide)	N-Channel	17dB	50 V	4mA	-	800 mA	80MHz	600W	170 V	-	T2	-	-

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