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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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1214GN-400LV

1214GN-400LV

RF MOSFET HEMT 50V 55-KR

Microchip Technology

2,591 -
1214GN-400LV

数据表

LV 55-KR Bulk Active HEMT - 16.8dB 50 V - - 200 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 400W 150 V - 55-KR - Surface Mount
0912GN-50LE

0912GN-50LE

RF MOSFET GAN 50V 55-QQP

Microchip Technology

9,676 -
0912GN-50LE

数据表

E 55-QQP Bulk Active GaN - 15.9dB 50 V - - 30 mA 960MHz ~ 1.215GHz 58W 150 V - 55-QQP - Surface Mount
1214GN-1200VG

1214GN-1200VG

RF MOSFET HEMT 50V 55-Q11A

Microchip Technology

6,610 -
1214GN-1200VG

数据表

VG 55-Q11A Bulk Active HEMT - 17dB 50 V - - 280 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 1200W 65 V - 55-Q11A - Surface Mount
DC35GN-15-D3

DC35GN-15-D3

RF MOSFET HEMT 52V 14DFN

Microchip Technology

2,023 -
DC35GN-15-D3

数据表

- 14-VDFN Exposed Pad Bulk Active HEMT - 18dB 52 V - - 60 mA 30MHz ~ 3.5GHz 15W 65 V - 14-DFN (3x6) - Surface Mount
ICPB2005-1-110I

ICPB2005-1-110I

DC-12 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT

Microchip Technology

4,804 -
ICPB2005-1-110I

数据表

- Die Box Active GaN HEMT - 9.5dB 28 V 2A - 250 mA 12GHz 25W 28 V - Die - Surface Mount
ICPB2002-1-110I

ICPB2002-1-110I

DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT

Microchip Technology

9,683 -
ICPB2002-1-110I

数据表

- Die Bulk Active GaN HEMT - 10dB 28 V 1A - 125 mA 12GHz 12W 28 V - Die - Surface Mount
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