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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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BF2030WH6824XTMA1

BF2030WH6824XTMA1

RF MOSFET 5V SOT343

Infineon Technologies

5,120 -
BF2030WH6824XTMA1

数据表

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 23dB 5 V 40mA 1.5dB 10 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT343-3D - Surface Mount
BF2040WH6814XTSA1

BF2040WH6814XTSA1

RF MOSFET 5V SOT343

Infineon Technologies

5,156 -
BF2040WH6814XTSA1

数据表

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 23dB 5 V 40mA 1.6dB 15 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT343-3D - Surface Mount
BF5020WH6327XTSA1

BF5020WH6327XTSA1

RF MOSFET 5V SOT343

Infineon Technologies

8,422 -
BF5020WH6327XTSA1

数据表

- SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 26dB 5 V 25mA 1.2dB 10 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT343-3D - Surface Mount
BG3123RH6327XTSA1

BG3123RH6327XTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

8,640 -
BG3123RH6327XTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25dB 5 V 25mA, 20mA 1.8dB 14 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
BG3430RH6327XTSA1

BG3430RH6327XTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

7,937 -
BG3430RH6327XTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25dB 5 V 25mA 1.3dB 14 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
BG5120KH6327XTSA1

BG5120KH6327XTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

3,763 -
BG5120KH6327XTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 23dB 5 V 20mA 1.1dB 10 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
BG5412KH6327XTSA1

BG5412KH6327XTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

9,003 -
BG5412KH6327XTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 24dB 5 V 25mA 1.1dB 10 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
PTFA071701EV4XWSA1

PTFA071701EV4XWSA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-36248-2

Infineon Technologies

2,098 -
PTFA071701EV4XWSA1

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tray Obsolete LDMOS - 18.7dB 30 V - - 900 mA 765MHz 150W 65 V - H-36248-2 - Surface Mount
PTFA071701EV4R250XTMA1

PTFA071701EV4R250XTMA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-36248-2

Infineon Technologies

9,177 -
PTFA071701EV4R250XTMA1

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 18.7dB 30 V - - 900 mA 765MHz 150W 65 V - H-36248-2 - Surface Mount
PTFA092211ELV4XWSA1

PTFA092211ELV4XWSA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-2

Infineon Technologies

5,592 -
PTFA092211ELV4XWSA1

数据表

- H-33288-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 18dB 30 V - - 1.75 A 940MHz 220W 65 V - H-33288-2 - Chassis Mount
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