富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
BF999E6433HTMA1

BF999E6433HTMA1

RF MOSFET 10V SOT23

Infineon Technologies

4,825 -
BF999E6433HTMA1

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 27dB 10 V 30mA 2.1dB 10 mA 45MHz - 20 V - PG-SOT23 - Surface Mount
BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

6,378 -
BG3123E6327HTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25dB 5 V 25mA, 20mA 1.8dB 14 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
BG3430RE6327HTSA1

BG3430RE6327HTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

7,416 -
BG3430RE6327HTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25dB 5 V 25mA 1.3dB 14 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
BG5120KE6327HTSA1

BG5120KE6327HTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

7,948 -
BG5120KE6327HTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 23dB 5 V 20mA 1.1dB 10 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
BG5412KE6327HTSA1

BG5412KE6327HTSA1

RF MOSFET 5V SOT363

Infineon Technologies

7,490 -
BG5412KE6327HTSA1

数据表

- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 24dB 5 V 25mA 1.1dB 10 mA 800MHz - 8 V - PG-SOT363-PO - Surface Mount
PTFA043002E V1

PTFA043002E V1

RF MOSFET LDMOS 32V H-30275-4

Infineon Technologies

3,608 -
PTFA043002E V1

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tray Obsolete LDMOS - 16dB 32 V 10µA - 1.55 A 800MHz 100W 65 V - H-30275-4 - Surface Mount
PTFA081501E V1

PTFA081501E V1

RF MOSFET LDMOS 28V H-30248-2

Infineon Technologies

9,571 -
PTFA081501E V1

数据表

GOLDMOS® 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Tray Obsolete LDMOS - 18dB 28 V 10µA - 950 mA 900MHz 150W 65 V - H-30248-2 - Surface Mount
PTFA190451EV4XWSA1

PTFA190451EV4XWSA1

RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2

Infineon Technologies

7,094 -
PTFA190451EV4XWSA1

数据表

- H-36265-2 Tray Obsolete LDMOS - 17.5dB 28 V 10µA - 450 mA 1.96GHz 11W 65 V - H-36265-2 - Surface Mount
PTFA190451EV4R250XTMA1

PTFA190451EV4R250XTMA1

RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2

Infineon Technologies

8,161 -
PTFA190451EV4R250XTMA1

数据表

- H-36265-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 17.5dB 28 V 10µA - 450 mA 1.96GHz 11W 65 V - H-36265-2 - Surface Mount
PTFA192001EV4XWSA1

PTFA192001EV4XWSA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

Infineon Technologies

9,524 -
PTFA192001EV4XWSA1

数据表

- H-36260-2 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key LDMOS - 15.9dB 30 V 10µA - 1.8 A 1.99GHz 50W 65 V - H-36260-2 - Chassis Mount
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户