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单个场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 增益 电压 - 测试 电流额定值(安培) 噪声系数 电流 - 测试 频率 功率 - 输出 额定电压 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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PTFB193408SVV1R250XTMA1

PTFB193408SVV1R250XTMA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-34275G-6

Infineon Technologies

3,970 -
PTFB193408SVV1R250XTMA1

数据表

- H-34275G-6/2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual, Common Source 19dB 30 V - - 2.65 A 1.99GHz 80W 65 V - H-34275G-6/2 - Chassis Mount
PTFB193408SVV1XWSA1

PTFB193408SVV1XWSA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-34275G-6

Infineon Technologies

7,015 -
PTFB193408SVV1XWSA1

数据表

- H-34275G-6/2 Tray Obsolete LDMOS Dual, Common Source 19dB 30 V - - 2.65 A 1.99GHz 80W 65 V - H-34275G-6/2 - Chassis Mount
PTFB262406EV1XWSA1

PTFB262406EV1XWSA1

RF MOSFET LDMOS

Infineon Technologies

5,163 -
PTFB262406EV1XWSA1

数据表

* - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - - -
PXAC261202FCV1R250XTMA1

PXAC261202FCV1R250XTMA1

RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-4

Infineon Technologies

2,772 -
PXAC261202FCV1R250XTMA1

数据表

- H-37248-4 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS Dual, Common Source 13.5dB 28 V - - 230 mA 2.61GHz 28W 65 V - H-37248-4 - Chassis Mount
PXAC261202FCV1XWSA1

PXAC261202FCV1XWSA1

RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-4

Infineon Technologies

4,370 -
PXAC261202FCV1XWSA1

数据表

- H-37248-4 Tray Obsolete LDMOS Dual, Common Source 13.5dB 28 V - - 230 mA 2.61GHz 28W 65 V - H-37248-4 - Chassis Mount
PTFA181001E V4 T500

PTFA181001E V4 T500

RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2

Infineon Technologies

7,616 -
PTFA181001E V4 T500

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 16.5dB 28 V - - 750 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 45W 65 V - H-36248-2 - Surface Mount
PTFA210701EV4T500XWSA1

PTFA210701EV4T500XWSA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-36265-2

Infineon Technologies

3,275 -
PTFA210701EV4T500XWSA1

数据表

- H-36265-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 16.5dB 30 V - - 550 mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18W 65 V - H-36265-2 - Surface Mount
PTFA192001EV4R0XTMA1

PTFA192001EV4R0XTMA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

Infineon Technologies

8,441 -
PTFA192001EV4R0XTMA1

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Strip Obsolete LDMOS - 15.9dB 30 V 10µA - 1.6 A 1.93GHz ~ 1.99GHz 200W 65 V - H-36260-2 - -
PTFA212001EV4R0XTMA1

PTFA212001EV4R0XTMA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

Infineon Technologies

2,796 -
PTFA212001EV4R0XTMA1

数据表

- 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Strip Obsolete LDMOS - 15.8dB 30 V 10µA - 1.6 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 200W 65 V - H-36260-2 - -
PTFA092213ELV4R0XTMA1

PTFA092213ELV4R0XTMA1

RF MOSFET LDMOS

Infineon Technologies

4,133 -
PTFA092213ELV4R0XTMA1

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 17.5dB - - - - 920MHz ~ 960MHz 220W 30 V - - - -
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