GaNPower|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 2

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
GPI90007DF88 GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8 GaNPower	642	-	询价单	数据表	-	8-DFN	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	7A	6V	225mOhm @ 1.4A, 6V	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	2.1 nC @ 6 V	900 V	+7.5V, -12V	60 pF @ 400 V	-	-	8-DFN (8x8)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65010DF56 GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6 GaNPower	263	-	询价单	数据表	-	Die	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	10A	6V	-	Surface Mount	1.4V @ 3.5mA	2.6 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	90 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI90010DF88 GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8 GaNPower	2,941	-	询价单	数据表	-	8-DFN	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	10A	6V	162mOhm @ 2.5A, 6V	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	2.6 nC @ 6 V	900 V	+7.5V, -12V	78 pF @ 400 V	-	-	8-DFN (8x8)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65015DFN GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8 GaNPower	160	-	询价单	数据表	-	Die	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	15A	6V	-	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	3.3 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	116 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65008DF68 GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8 GaNPower	990	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	8A	6V	-	Surface Mount	1.7V @ 3.5mA	2.1 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	63 pF @ 400 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65008DF56 GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6 GaNPower	100	-	询价单	数据表	-	Die	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	8A	6V	-	Surface Mount	1.4V @ 3.5mA	2.1 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	63 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65030DFN GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8 GaNPower	100	-	询价单	数据表	-	Die	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	30A	6V	-	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	5.8 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	241 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65030TO5L GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L GaNPower	26	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	30A	6V	-	Surface Mount	1.4V @ 3.5mA	5.8 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	241 pF @ 400 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65060DFC GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu GaNPower	91	-	询价单	数据表	-	8-DFN	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	60A	6V	30mOhm @ 6A, 12V	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	16 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	420 pF @ 400 V	-	-	8-DFN (8x8)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65007DF56 GaNFET N-CH 650V 7A DFN5x6 GaNPower	40	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	7A	6V	-	Surface Mount	1.5V @ 3.5mA	2.1 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	76.1 pF @ 400 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)