GaNPower|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 1

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
GPI65060DFN GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8 GaNPower	3,790	-	询价单	数据表	-	Die	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	60A	6V	-	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	16 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	420 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPIHV30SB5L GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L GaNPower	6,073	-	询价单	数据表	-	Die	Tube	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	30A	6V	-	Surface Mount	1.4V @ 3.5mA	8.25 nC @ 6 V	1200 V	+7.5V, -12V	236 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPIXV30DFN GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8 GaNPower	9,676	-	询价单	数据表	-	Die	Bag	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	30A	6V	-	Surface Mount	1.4V @ 3.5mA	8.25 nC @ 6 V	1200 V	+7.5V, -12V	236 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPIHV5DK GaNFET N-CH 1200V 5A TO252 GaNPower	2,746	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	5A	6V	-	Surface Mount	1.7V @ 3.5mA	1.9 nC @ 6 V	1200 V	+7.5V, -12V	90 pF @ 700 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPIHV10DK GaNFET N-CH 1200V 10A TO252 GaNPower	2,391	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	10A	6V	-	Surface Mount	1.7V @ 3.5mA	3.5 nC @ 6 V	1200 V	+7.5V, -12V	105 pF @ 700 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPIHV7DK GaNFET N-CH 1200V 7A TO252 GaNPower	9,717	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	7A	6V	-	Surface Mount	1.7V @ 3.5mA	3.1 nC @ 6 V	1200 V	+7.5V, -12V	90 pF @ 700 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI90005DF88 GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8 GaNPower	2	-	询价单	数据表	-	8-DFN	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	5A	6V	320mOhm @ 1A, 6V	Surface Mount	1.3V @ 3.5mA	1.6 nC @ 6 V	900 V	+7.5V, -12V	39 pF @ 400 V	-	-	8-DFN (8x8)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65015TO GANFET N-CH 650V 15A TO220 GaNPower	18	-	询价单	数据表	-	Die	Tube	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	15A	6V	-	Surface Mount	1.2V @ 3.5mA	3.3 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	123 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65005DF68 GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8 GaNPower	450	-	询价单	数据表	-	-	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	5A	6V	-	Surface Mount	1.7V @ 3.5mA	1.6 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	39 pF @ 500 V	-	-	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
GPI65005DF GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6 GaNPower	167	-	询价单	数据表	-	Die	Tape & Reel (TR)	Active	N-Channel	GaNFET (Gallium Nitride)	5A	6V	-	Surface Mount	1.4V @ 1.75mA	2.6 nC @ 6 V	650 V	+7.5V, -12V	45 pF @ 400 V	-	-	Die	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)