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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
FF06020J-7A

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SICFET N-CH 650V 101A TO-263-7L

fastSiC

300 -
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数据表

Falcon TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 101A (Tc) 18V 28mOhm @ 35A, 18V Surface Mount 2.5V @ 60mA 194 nC @ 15 V 650 V 18V 4437 pF @ 400 V - - D2PAK-7L - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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SICFET N-CH 750V 81A TOLL

fastSiC

300 -
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数据表

Falcon 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 81A (Tc) 18V 34mOhm @ 30A, 18V - 2.5V @ 60mA 174 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 4604 pF @ 500 V - - TOLL - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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SICFET N-CH 750V 81A TO-263-7L

fastSiC

300 -
FF07025J-7A

数据表

Falcon TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 81A (Tc) 18V 34mOhm @ 30A, 18V - 2.5V @ 60mA 174 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 4604 pF @ 500 V - - TO-263-7L - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF07025QA

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SICFET N-CH 750V 89A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF07025QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 89A (Tc) 18V 34mOhm @ 30A, 18V - 2.5V @ 60mA 174 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 4604 pF @ 500 V - - TO-247-4L - 405W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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SICFET N-CH 650V 110A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF06020QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 110A (Tc) 18V 28mOhm @ 35A, 18V - 2.5V @ 60mA 194 nC @ 15 V 650 V +18V, -8V 4437 pF @ 400 V - - TO-247-4L - 405W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF06020E-3A

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SICFET N-CH 650V 110A TO-247-3L

fastSiC

300 -
FF06020E-3A

数据表

Falcon TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 110A (Tc) 15V, 18V 28mOhm @ 35A, 18V Through Hole 2.5V @ 60mA (Typ) 194 nC @ 400 V 650 V +18V, -8V 4437 pF @ 400 V - - TO-247-3L - 405W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF07015QA

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SICFET N-CH 750V 136A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF07015QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 136A (Tc) 18V 20mOhm @ 50A, 18V - 2.5V @ 100mA 329 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 7252 pF @ 500 V - - TO-247-4L - 555W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF06010QA

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SICFET N-CH 650V 169A TO-247-4L

fastSiC

100 -
FF06010QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 169A (Tc) 18V 18mOhm @ 60A, 18V - 2.5V @ 100mA 315 nC @ 15 V 650 V +18V, -8V 7390 pF @ 400 V - - TO-247-4L - 555W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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FF06010E-3A

SICFET N-CH 650V 169A TO-247-3L

fastSiC

100 -
FF06010E-3A

数据表

Falcon TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 169A (Tc) 15V, 18V 18mOhm @ 60A, 18V Through Hole 2.5V @ 100mA 315 nC @ 400 V 650 V +18V, -8V 7390 pF @ 400 V - - TO-247-3L - 555W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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